SUM50020EL-GE3，晶体管-FET，MOSFET-单

全新原装，公司现货销售

型号：SUM50020EL-GE3

品牌：VISHAY

封装:TO263

参数：

FET 类型： N 通道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：60V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：120A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：2.1 毫欧 @ 30A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：2.5V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：126nC @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：11113pF @ 30V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）：375W（Tc）

工作温度： -55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型： TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB