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N-ChannelMOSFETTransistor

•DESCRITION •Improvedtransconductance •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance:RDS(on)≤1.4Ω •Enhancementmode: •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

N-ChannelMOSFETTransistor

•DESCRIPTION •Ultralowgatecharge •Ultraloweffectivecapacitance •Improvedtransconductance •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤1.4Ω •Enhancementmode •FastSwitchingSpeed •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice perf

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

CoolMOS??PowerTransistor

Feature •Newrevolutionaryhighvoltagetechnology •Ultralowgatecharge •Periodicavalancherated •Extremedv/dtrated •Ultraloweffectivecapacitances •Improvedtransconductance

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

Infineon

N-Channel650V(D-S)MOSFET

文件:2.54815 Mbytes Page:8 Pages

VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI

N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET

文件:2.51693 Mbytes Page:8 Pages

VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI
更新时间:2024-6-3 14:08:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
infineon
2020+
SOT263
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百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可
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SOT263
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    SPB100N032L-03,SPB100N04S2L-03,SPB11N60C2,SPB11N60S5E3045A,SPB160N04S2-03,SPB20N60C3E3045A,SPB80N03S2L-03,SPB80N03S2L05,SPB80N03S2L-05,SPB80N06S2L-05,SPB80P06P,SPP02N60S5,SPP04N60C2

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    2012-11-10