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位置：首页 > IC中文资料第4983页 > SPB03N60S5

型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
SPB03N60S5

CoolMOS??PowerTransistor

Feature •Newrevolutionaryhighvoltagetechnology •Ultralowgatecharge •Periodicavalancherated •Extremedv/dtrated •Ultraloweffectivecapacitances •Improvedtransconductance

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

Infineon
SPB03N60S5

HighPowerFactorLEDReplacementT8FluorescentTube

Introduction ThisapplicationnotedescribestheprinciplesanddesignequationsrequiredforthedesignofahighbrightnessLEDlampusingtheAL9910.Theequationsarethenusedtodemonstratethedesignofauniversal,offline,highpowerfactor(PF),13WLEDlampsuitableforuseasthere

DIODESDiodes Incorporated

达尔科技

DIODES
SPB03N60S5

N-Channel650V(D-S)MOSFET

FEATURES •LowGateChargeQgResultsinSimpleDrive Requirement •ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dt Ruggedness •FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltage andCurrent •ComplianttoRoHSdirective2002/95/EC

VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司

VBSEMI
SPB03N60S5

PWMhigh-efficiencyLEDdrivercontrolIC

文件：226.97 Kbytes Page：8 Pages

DIODESDiodes Incorporated

达尔科技

DIODES
SPB03N60S5

AL9910EV4Evaluationboardconnectiondiagram

文件：227.05 Kbytes Page：8 Pages

DIODESDiodes Incorporated

达尔科技

DIODES
SPB03N60S5

PWMhigh-efficiencyLEDdrivercontrolIC.

文件：254.2 Kbytes Page：12 Pages

DIODESDiodes Incorporated

达尔科技

DIODES
SPB03N60S5

CoolMOS??PowerTransistor

文件：251.72 Kbytes Page：10 Pages

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

Infineon
SPB03N60S5

CoolMOSPowerTransistor

文件：353.32 Kbytes Page：10 Pages

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

Infineon
SPB03N60S5_07

CoolMOSPowerTransistor

文件：353.32 Kbytes Page：10 Pages

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

Infineon
ISPD03N60S5

N-ChannelMOSFETTransistor

•DESCRITION •Improvedtransconductance •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance:RDS(on)≤1.4Ω •Enhancementmode: •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
ISPP03N60S5

N-ChannelMOSFETTransistor

•DESCRIPTION •Ultralowgatecharge •Ultraloweffectivecapacitance •Improvedtransconductance •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤1.4Ω •Enhancementmode •FastSwitchingSpeed •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice perf

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
03N60S5

N-Channel650V(D-S)MOSFET

文件：2.54815 Mbytes Page：8 Pages

VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司

VBSEMI
03N60S5

N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET

文件：2.51693 Mbytes Page：8 Pages

VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司

VBSEMI

SPB03N60S5产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    SPB03N60S5

  • 功能描述

    MOSFET COOL MOS N-CH 600V 3.2A

  • RoHS

    否

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS（导通）

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

SPB03N60S5供应商更多...

更新时间：2024-4-27 21:07:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
瀚佳科技(深圳)有限公司
SPB03N60S5
infineon
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SPB03N60S5
Infineon(英飞凌)
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深圳市恒创达实业有限公司
SPB03N60S5
Infineon
17+
TO-263
6200
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