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SI6967DQ-T1-E3

DualP-Channel1.8-V(G-S)MOSFET

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VishayVishay Siliconix

威世科技

Vishay

SI6967DQ-T1-E3产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    SI6967DQ-T1-E3

  • 功能描述

    MOSFET 8V 5A 1.1W

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2024-4-27 20:10:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
SILICON LABS/芯科
05+
NA
880000
明嘉莱只做原装正品现货
VISHAY/威世
23+
NA/
18000
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
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TSSOP8
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全新原厂原装产品、公司现货销售
VISHAY-威世
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库

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