PSMN004-60B全新原装现货

发布企业:瀚佳科技(深圳)有限公司时间:2019-8-12 12:23:00

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PSMN004-60B数据表

制造商: Nexperia

产品种类: MOSFET

RoHS: 详细信息

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: TO-263-3

通道数量: 1 Channel

晶体管极性: N-Channel

Vds-漏源极击穿电压: 60 V

Id-连续漏极电流: 75 A

Rds On-漏源导通电阻: 3.6 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: 20 V

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 175 C

Pd-功率耗散: 230 W

配置: Single

通道模式: Enhancement

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

封装: Reel

高度: 4.5 mm

长度: 10.3 mm

晶体管类型: 1 N-Channel

宽度: 9.4 mm

商标: Nexperia

下降时间: 75 ns

产品类型: MOSFET

上升时间: 74 ns

工厂包装数量: 800

子类别: MOSFETs

典型关闭延迟时间: 133 ns

典型接通延迟时间: 38 ns

零件号别名: /T3 PSMN004-60B

型号查询 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作

N-channel enhancement mode field-effect transistor

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飞利浦荷兰皇家飞利浦

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N-channel TrenchMOS SiliconMAX standard level FET

NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved

安世安世半导体(中国)有限公司

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nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半导体公司

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N-channel enhancement mode field-effect transistor

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飞利浦荷兰皇家飞利浦

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2024-4-28 17:41:00
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