onsemi 1200 V M3S 碳化硅 (SiC) MOSFET 利用平面技术在负栅极电压和瞬态栅极电压偏移下实现稳健运行。它通过 18 V 栅极驱动实现峰值效率,但在 15 V 下保持令人满意的性能。
特性
具有开尔文源极配置的 D2PAK-7L 封装
优秀的品质因数 (FOM) (= RDS(ON) x EOSS)
超低栅极电荷 (QG(tot) = 75 nC)
低电容高速开关 (Coss = 80pF)
15 V 至 18 V 栅极驱动
M3S 技术:40 mΩ RDS(ON),低 EON 和 EOFF 损耗
100%_通过雪崩测试
无卤素且符合 RoHS 规范
应用
工业