静态随机存储器N02L63W2AB25I ?2Mb超低功耗异步CMOS SRAM 128Kx16位
静态随机存储器N02L63W2AB25I 是一个集成内存设备，包含一个2 Mbit的静态随机访问内存，按16位排列为131，072个单词。该设备采用半导体公司先进的CMOS技术设计和制造，提供高速性能和超低功耗。基本设计与半导体公司的静态随机存储器N02L63W2AB25I 相同，其处理工作在更高的电压。该设备采用单芯片启用(CE)控制和输出启用(OE)，便于内存扩展。字节控件(UB和LB)允许独立地访问上字节和下字节。静态随机存储器N02L63W2AB25I 是各种低功耗应用的最佳选择，如电池备份和手持设备。该设备可以在-40℃到+85℃的非常宽的温度范围内工作，并且可以在与其他标准128Kb x 16 SRAMs兼容的JEDEC标准包中使用。
功能?单电源范围宽1.65到2.2伏?非常低的待机电流0.5μa 1.8 v(典型的)?非常低的操作电流1.4 ma在1.8 v和1μs(典型的)马?页面模式操作电流非常低0.5在1.8 v和1μs(典型的)?简单内存控制单片机为独立启用(CE)字节控制字节操作允许输出(OE)内存扩展?低压数据保留Vcc = 1.2 v?很快允许输出访问时间30 ns OE访问时间?自动断电待机模式?兼容TTL三态输出驱动程序?节省空间紧凑的BGA包
N02L63W2A
绝对最大Ratings1
1. 应力大于上述列出的应力可能会对设备造成永久性损坏。这只是一个应力等级，在这些或任何高于本规范操作部分中所述的其他条件的情况下，设备的功能运行不包括在内。长时间暴露在绝对最大额定值条件下可能会影响可靠性。
静态随机存储器N02L63W2AB25I 项目符号评级单位电压在任何销相对于VSS VIN， VCC -0.3 + 0.3 V电压VCC供应相对于VSS VCC -0.3到4.5 V功耗PD 500 mW储存温度测试-40到125 oC操作温度TA -40 + 85 oC焊接温度和时间TSOLDER 260 oC， 10秒oC
操作特性(超过指定温度范围
1. 典型值在Vcc=Vcc Typ处测量。， TA=25℃，未100%测试。
马克斯单元电源电压VCC 2.3 3.0 3.6 V电压VDR芯片Disabled3数据保留1.8 - 3.6 V输入高压VIH 1.8 + 0.3 V电源电压输入维尔-0.3 - 0.6 V低电压输出高压VOH IOH = 0.2 ma VCC - 0.2 V低电压输出人工卷= -0.2 ma 0.2 V输入泄漏电流伊犁VIN = 0至0.5 VCCμA泄漏电流输出ILO OE = VIH或芯片禁用0.5μA读/写操作电源电流@ 1 Time2μs周期静态随机存储器N02L63W2AB25I
2. 指定此参数时禁用输出，以避免外部加载效果。用户必须添加驱动实际系统中预期输出电容所需的电流。
ICC1VCC=3.6 V， VIN=VIH或启用VIL芯片，IOUT = 0 2.0 4.0 mA
