NTR4502PT1G ON 20 V 80 mOhm 1.25W MOSFET-SOT-23优势原装现货
Rohs Lead free / RoHS Compliant
产品更改通知 Wire Change for SOT23 Pkg 26/May/2009
标准包装 3,000
FET 型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点 Logic Level Gate
漏极至源极电压(VDSS) 20V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C 3.2A
Rds(最大)@ ID,VGS 80 mOhm @ 3.6A, 4.5V
VGS(TH)(最大)@ Id 1.2V @ 250μA
栅极电荷(Qg)@ VGS 6nC @ 4.5V
输入电容(Ciss)@ Vds的 200pF @ 10V
功率 - 最大 1.25W
安装类型 Surface Mount
包/盒 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供应商器件封装 SOT-23-3 (TO-236)
包装材料 Tape & Reel (TR)
包装 3SOT-23
通道模式 Enhancement
最大漏源电压 20 V
最大连续漏极电流 3.2 A
RDS -于 80@4.5V mOhm
最大门源电压 ±12 V
典型导通延迟时间 6.5 ns
典型关闭延迟时间 12 ns
典型下降时间 3 ns
工作温度 -55 to 150 °C
安装 Surface Mount
标准包装 Tape & Reel
最大门源电压 ±12
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 150
标准包装名称 SOT-23
最低工作温度 -55
渠道类型 N
封装 Tape and_Reel
最大漏源电阻 80@4.5V
最大漏源电压 20
每个芯片的元件数 1
供应商封装形式 SOT-23
最大功率耗散 1250
最大连续漏极电流 3.2
引脚数 3
铅形状 Gull-wing
FET特点 Logic Level Gate, 2.5V Drive
安装类型 Surface Mount
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 3.2A (Ta)
的Vgs(th ) (最大)@ Id 1.2V @ 250μA
供应商设备封装 SOT-23-3 (TO-236)
其他名称 NTR4501NT1GOSTR
开态Rds(最大)@ Id ,V GS 80 mOhm @ 3.6A, 4.5V
FET型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大 1.25W
漏极至源极电压(Vdss) 20V
输入电容(Ciss ) @ VDS 200pF @ 10V
闸电荷(Qg ) @ VGS 6nC @ 4.5V
封装/外壳 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
类别 Power MOSFET
配置 Single
外形尺寸 2.9 x 1.3 x 0.94mm
身高 0.94mm
长度 2.9mm
最大漏源电阻 0.08 Ω
最高工作温度 +150 °C
最大功率耗散 1.25 W
最低工作温度 -55 °C
包装类型 SOT-23
典型栅极电荷@ VGS 2.4 nC V @ 4.5
典型输入电容@ VDS 200 pF V @ 10
宽度 1.3mm
漏极电流(最大值) 3.2 A
频率(最大) Not Required MHz
栅源电压(最大值) ?12 V
输出功率(最大) Not Required W
功率耗散 1.25 W
噪声系数 Not Required dB
漏源导通电阻 0.08 ohm
工作温度范围 -55C to 150C
极性 N
类型 Power MOSFET
元件数 1
工作温度分类 Military
漏极效率 Not Required %_
漏源导通电压 20 V
功率增益 Not Required dB
弧度硬化 No
连续漏极电流 3.2 A
晶体管极性 :N Channel
Continuous Drain Current Id :3.2A
Drain Source Voltage Vds :20V
On Resistance Rds(on) :80mohm
Rds(on) Test Voltage Vgs :4.5V
Threshold Voltage Vgs :1.2V
功耗 :1.25W
Operating Temperature Min :-55°C
Operating Temperature Max :150°C
Transistor Case Style :SOT-23
No. of Pins :3
MSL :MSL 1 - Unlimited
SVHC :No SVHC (20-Jun-2013)
Current Id Max :3.2A
工作温度范围 :-55°C to +150°C
端接类型 :SMD
Voltage Vds Typ :20V
Voltage Vgs Max :1.2V
Voltage Vgs Rds on Measurement :4.5V
Weight (kg) 0.000008
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联系人:姚小姐
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TLV70433DBVR、TP4101、TP5100、TP4056、RT9013-33PB、TPS73618DBVR、MIC5255-3.0YM5、CDSOT23-T36C、CDSOT23-24C、TL431CDBZR、TL431IDBZR、TLV1117CDCYR、LM317EMPX、NCP1117ST33T3G、NCP1117ST50T3G、PESD5V0V1BL、PESD5V0V1BSF、PESD2CAN、PESD5V0S1BA、PESD12VS2UT、PESD15VL2BT、PESD36VS2UT、PESD3V3L1BA、PESD24VL2BT、IP4220CZ6、IP4223CZ6、BCP56-16、BCP51-16、BSN20、uClamp0511T.TCT、SRV05-4.TCT、RCLAMP0531T.TCT、RCLAMP0502A.TCT、SD05C.TCT、SR05.TCT、RCLAMP0524J.TCT、ESD5Z2.5T1G、ESD5Z3.3T1G、CM1213A-01SO、CM1213A-04SO、NTR4501NT1G、NTR4502PT1G、NTR4170NT1G、NTR4171PT1G、RLST23A032C、RLST23A0122C、RLST23A052C、PRTR5V0U2X、GBLC03CI-LF-T7、GBLC03C-LF-T7、GBLC05CI-LF-T7、GBLC05C-LF-T7、GBLC08CI-LF-T7、GBLC08C-LF-T7、GBLC12CI-LF-T7、GBLC12C-LF-T7、GBLC15CI-LF-T7、GBLC24CI-LF-T7、GBLC24C-LF-T7、PSD03C-LF-T7、PSD05-LF-T7、PSD05C-LF-T7、PSD08C-LF-T7、PSM712-LF-T7、AO3400、AO3400A、AO3401A、AO3402、TPSMB6.8CA-E3/52、TPSMB6.8A、TPSMB47A、TPSMB43A、TPSMB39A、TPSMB36A、TPSMB33A、TPSMB30A、STTH208、、IRLML2502TRPBF、TP4101、IRLML6401TRPBF、TLV70433DBVR、PESD5V0S1BB、PSM712-LF-T7、NTR4171PT1G、SGM2036-3.3YUDH4G/TR 、SGM2036-1.8YUDH4G/TR、DMN2046U-7等等。
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NTR4502PT1G NTR4502PT1G NTR4502PT1G NTR4502PT1G NTR4502PT1G
NTR4502PT1G NTR4502PT1G NTR4502PT1G NTR4502PT1G NTR4502PT1GNTR4502PT1G NTR4502PT1G NTR4502PT1G NTR4502PT1G NTR4502PT1G
据日经新闻亚洲评论报导,该消息人士表示,长鑫还无法完全消除威胁,其生产中依然会使用到美国的半导体设备(如Applied Materials、Lam Research及KLA-Tencor)和EDA工具(如Cadence和Synopsys),但重新设计能够降低威胁,避免触及美国的知识产权。
长鑫存储董事长兼CEO朱一明去年10月还曾前往欧洲,与欧洲最大的半导体设备供应商ASML商谈合作,并访问了比利时的IMEC,这是一家专注于纳米电子和数字技术的开创性研究机构。由此可见,长鑫正在寻求美国以外的供应商的支持。
据了解,长鑫在合肥投资80亿美元建造了一家晶圆厂,预计将于今年年底前投产。其中一位消息人士指出,长鑫最初每月将生产约10,000片晶圆,虽然需要经历某种学习曲线,但长鑫计划在今年年底之前获得一些产出。
不过,根据长鑫去年透露DRAM项目5年规划,该公司计划在2018年底量产8Gb DDR4工程样品;2019年3季度量产8Gb LPDDR4;2019年底实现产能2万片/月;2020年开始规划二厂建设;2021年完成17纳米技术研发。