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IXGT20N140C3H1

GenX31400VIGBTsw/Diode

GenX3™1400VIGBTsw/Diode High-SpeedPTIGBTsfor20-50kHzSwitching Features •OptimizedforLowSwitchingLosses •SquareRBSOA •HighAvalancheCapability •Anti-ParallelUltraFastDiode •InternationalStandardPackages Advantages •HighPowerDensity •LowGateDriveRequireme

IXYS

IXYS Integrated Circuits Division

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IXYS

IXGT20N140C3H1产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IXGT20N140C3H1

  • 功能描述

    IGBT 模块 40khz C-IGBT w/Diode Power Device

  • RoHS

  • 制造商

    Infineon Technologies

  • 产品

    IGBT Silicon Modules

  • 配置

    Dual 集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    600 V

  • 集电极—射极饱和电压

    1.95 V 在25

  • C的连续集电极电流

    230 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    445 W

  • 最大工作温度

    + 125 C

  • 封装/箱体

    34MM

更新时间:2024-5-15 20:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IXYS/艾赛斯
24+
TO268
58000
全新原厂原装正品现货,可提供技术支持、样品免费!
IXYS
21+
TO268
13880
公司只售原装,支持实单
IXYS/艾赛斯
23+
TO-268
90000
只做原厂渠道价格优势可提供技术支持
IXYS
23+
TO-268
10678
全新原装
IXYS-艾赛斯
24+25+/26+27+
TO-268
6328
一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库
IXYS
22+
TO268
9000
原厂渠道,现货配单
IXYS
08+(pbfree)
TO-268
8866
IXYS/艾赛斯
23+
TO-268
6000
原装正品,支持实单
IXYS/艾赛斯
21+ROHS
TO-268D3PAK
21368
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
IXYS/艾赛斯
22+
TO-268
25000
只做原装进口现货,专注配单

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