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位置：首页 > IC中文资料第8345页 > IXGT15N120B

型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
IXGT15N120B

HiPerFASTIGBT

Features ●Internationalstandardpackages JEDECTO-268surfaceandJEDECTO-247AD ●Lowswitchinglosses,lowV(sat) ●MOSGateturn-on -drivesimplicity Applications ●ACmotorspeedcontrol ●DCservoandrobotdrives ●DCchoppers ●Uninterruptiblepowersupplies(UPS) ●S

IXYS

IXYS Integrated Circuits Division

IXYS
IXGT15N120B

封装/外壳：TO-268-3，D³Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA 包装：管件 描述：IGBT 1200V 30A 180W TO268 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

IXYS

IXYS Integrated Circuits Division

IXYS
IXGT15N120BD1

LowVCE(sat)IGBTwithDiodeHighSpeedIGBTwithDiode

Features •Internationalstandardpackages:JEDECTO-247AD&TO-268 •IGBTandanti-parallelFREDinonepackage •MOSGateturn-on-drivesimplicity •FastRecoveryExpitaxialDiode(FRED)-softrecoverywithlowIRM

IXYS

IXYS Integrated Circuits Division

IXYS
IXGT15N120B2D1

HiPerFASTIGBT

文件：76.34 Kbytes Page：2 Pages

IXYS

IXYS Integrated Circuits Division

IXYS
DTGN15N120

Highruggedness,temperaturestablebehavior

GeneralDescription Din-TekFieldStopTrenchIGBTsofferlowswitchinglosses,high energyefficiencyandshortcircuitruggedness. Itisdesignedforapplicationssuchasmotorcontrol,uninterruptedpower supplies(UPS),generalinverters. FEATURES ·Highspeedswitching ·Highruggedness,

DINTEK

DinTek Semiconductor Co,.Ltd

DINTEK
DTGT15N120

Softcurrentturn-offwaveforms

GeneralDescription Din-TekFieldStopTrenchIGBTsofferlowswitchinglosses,high energyefficiencyandhighavalancheruggednessforsoftswitching applicationsuchasIH(inductionheating),microwaveoven,etc. FEATURES ·Highspeedswitching ·Highruggedness,temperaturestablebehavior

DINTEK

DinTek Semiconductor Co,.Ltd

DINTEK
DTGT15N120P

Softcurrentturn-offwaveforms

GeneralDescription Din-TekIGBTsofferlowswitchinglosses,highenergyefficiency andhighavalancheruggednessforsoftswitchingapplicationsuchas IH(inductionheating),microwaveoven,etc. FEATURES ·Highspeedswitching ·Highsystemefficiency ·Softcurrentturn-offwaveforms ·E

DINTEK

DinTek Semiconductor Co,.Ltd

DINTEK
FGA15N120AND

IGBT

GeneralDescription EmployingNPTtechnology,Fairchild’sANDseriesofIGBTsprovideslowconductionandswitchinglosses.TheANDseriesofferssolutionsforapplicationssuchasinductionheating(IH),motorcontrol,generalpurposeinvertersanduninterruptiblepowersupplies(UPS). Features

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild
BRG15N120D

Insulated-GateBipolarTransistorinaTO-3PPlasticPackage

文件：1.36019 Mbytes Page：9 Pages

FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd.

蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司

FOSHAN

IXGT15N120B产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IXGT15N120B

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 30 Amps 1200V 3.2 Rds

  • RoHS

    否

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

IXGT15N120B供应商更多...

更新时间：2024-6-4 10:50:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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IXGT15N120B
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IXYS/艾赛斯
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IXGT15N120B芯片相关品牌

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  • Central
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  • RFMD
  • SOURCE
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