IXGP7N60B价格

参考价格:¥7.9314

型号:IXGP7N60B 品牌:Ixys 备注:这里有IXGP7N60B多少钱,2024年最近7天走势,今日出价,今日竞价,IXGP7N60B批发/采购报价,IXGP7N60B行情走势销售排行榜,IXGP7N60B报价。
型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
IXGP7N60B

HiPerFASTIGBT

Features •Internationalstandardpackages JEDECTO-263surface mountableandJEDECTO-220AB •MediumfrequencyIGBT •Highcurrenthandlingcapability •HiPerFASTTMHDMOSTMprocess •MOSGateturn-on -drivesimplicity Applications •Uninterruptiblepowersupplies(UPS) •

IXYS

IXYS Integrated Circuits Division

IXYS
IXGP7N60B

封装/外壳:TO-220-3 包装:管件 描述:IGBT 600V 14A 54W TO220 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

IXYS

IXYS Integrated Circuits Division

IXYS

HiPerFASTIGBTwithDiode

Features •Internationalstandardpackages JEDECTO-263surface mountableandJEDECTO-220AB •Highcurrenthandlingcapability •HiPerFASTTMHDMOSTMprocess •MOSGateturn-on -drivesimplicity Applications •Uninterruptiblepowersupplies(UPS) •Switched-modeandresonant-m

IXYS

IXYS Integrated Circuits Division

IXYS

封装/外壳:TO-220-3 包装:管件 描述:IGBT 600V 14A 80W TO220 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

IXYS

IXYS Integrated Circuits Division

IXYS

HiPerFASTIGBTwithDiode

文件:84.46 Kbytes Page:2 Pages

IXYS

IXYS Integrated Circuits Division

IXYS

7.4Amps,600/650VoltsN-CHANNELPOWERMOSFET

■DESCRIPTION TheUTC7N60isahighvoltageMOSFETandisdesignedtohavebettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowgatecharge,lowon-stateresistanceandhaveahighruggedavalanchecharacteristics.ThispowerMOSFETisusuallyusedathighspeedswitchingapplicationsinswi

UTCYoushun Technology Co., Ltd

友顺友顺科技股份有限公司

UTC

7.4Amps,600VoltsN-CHANNELMOSFET

■DESCRIPTION TheUTC7N60isahighvoltagepowerMOSFETandisdesignedtohavebettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowgatecharge,lowon-stateresistanceandhaveahighruggedavalanchecharacteristics.ThispowerMOSFETisusuallyusedathighspeedswitchingapplications

UTCYoushun Technology Co., Ltd

友顺友顺科技股份有限公司

UTC

iscN-ChannelMosfetTransistor

•DESCRITION •Designedforhighefficiencyswitchmodepowersupply. •FEATURES •DrainCurrent–ID=7A@TC=25℃ •DrainSourceVoltage- :VDSS=600V(Min) •StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=1.0Ω(Max) •AvalancheEnergySpecified •FastSwitching •SimpleDriveRequirem

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

7Amps竊?00VoltsN-ChannelMOSFET

■Description TheET7N60N-ChannelenhancementmodesilicongatepowerMOSFETisdesignedforhighvoltage,highspeedpowerswitchingapplicationssuchasswitchingregulators,switchingconverters,solenoid,motordrivers,relaydrivers. ■Features ●RDS(ON)=1.20Ω@VGS=10V ●Lowgatecha

ESTEKEstek Electronics Co. Ltd

Estek Electronics Co. Ltd

ESTEK

7A600VN-channelEnhancementModePowerMOSFET

文件:898.89 Kbytes Page:11 Pages

WXDHJiangsu Donghai Semiconductor Technology Co.,Ltd

东海半导体江苏东海半导体科技有限公司

WXDH

IXGP7N60B产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IXGP7N60B

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 14 Amps 600V 2.0 Rds

  • RoHS

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

更新时间:2024-5-9 11:37:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IXYS
21+
TO220AB
13880
公司只售原装,支持实单
23+
N/A
85100
正品授权货源可靠
IXYS/艾赛斯
2024+实力库存
TO-220
2876
只做原厂渠道 可追溯货源
IXYS
22+23+
TO-220
27667
绝对原装正品全新进口深圳现货
IXYS/艾赛斯
TO-220
265209
假一罚十原包原标签常备现货!
IXYS/艾赛斯
23+
TO-220
50000
全新原装正品现货,支持订货
IXYS
23+24
TO-220
29840
主营MOS管,二极.三极管,肖特基二极管.功率三极管
IXYS/艾赛斯
22+/23+
TO-220
9800
原装进口公司现货假一赔百
IXYS
23+
TO-TO-220
12300
全新原装真实库存含13点增值税票!
IXYS/艾赛斯
22+21+
TO-220
2876
16年电子元件现货供应商 终端BOM表可配单提供样品

IXGP7N60B芯片相关品牌

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