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IXGP15N120B	HiPerFASTIGBT VCES=1200V IC25=30A VCE(sat)=3.2V tfi(typ)=160ns Features •InternationalstandardpackagesJEDECTO-220ABandTO-263AA •Lowswitchinglosses,lowV(sat) •MOSGateturn-on -drivesimplicity Applications •ACmotorspeedcontrol •DCservoandrobotdrives •DCchoppers	IXYS IXYS Integrated Circuits Division
IXGP15N120B	封装/外壳：TO-220-3 包装：管件描述：IGBT 1200V 30A 150W TO220AB 分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单	IXYS IXYS Integrated Circuits Division
DTGN15N120	Highruggedness,temperaturestablebehavior GeneralDescription Din-TekFieldStopTrenchIGBTsofferlowswitchinglosses,high energyefficiencyandshortcircuitruggedness. Itisdesignedforapplicationssuchasmotorcontrol,uninterruptedpower supplies(UPS),generalinverters. FEATURES ·Highspeedswitching ·Highruggedness,	DINTEK DinTek Semiconductor Co,.Ltd
DTGT15N120	Softcurrentturn-offwaveforms GeneralDescription Din-TekFieldStopTrenchIGBTsofferlowswitchinglosses,high energyefficiencyandhighavalancheruggednessforsoftswitching applicationsuchasIH(inductionheating),microwaveoven,etc. FEATURES ·Highspeedswitching ·Highruggedness,temperaturestablebehavior	DINTEK DinTek Semiconductor Co,.Ltd
DTGT15N120P	Softcurrentturn-offwaveforms GeneralDescription Din-TekIGBTsofferlowswitchinglosses,highenergyefficiency andhighavalancheruggednessforsoftswitchingapplicationsuchas IH(inductionheating),microwaveoven,etc. FEATURES ·Highspeedswitching ·Highsystemefficiency ·Softcurrentturn-offwaveforms ·E	DINTEK DinTek Semiconductor Co,.Ltd
FGA15N120AND	IGBT GeneralDescription EmployingNPTtechnology,Fairchild’sANDseriesofIGBTsprovideslowconductionandswitchinglosses.TheANDseriesofferssolutionsforapplicationssuchasinductionheating(IH),motorcontrol,generalpurposeinvertersanduninterruptiblepowersupplies(UPS). Features	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
BRG15N120D	Insulated-GateBipolarTransistorinaTO-3PPlasticPackage 文件：1.36019 Mbytes Page：9 Pages	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司

IXGP15N120B产品属性

类型
描述
型号
IXGP15N120B
功能描述
IGBT 晶体管 30 Amps 1200V 3.2 Rds
RoHS
否
制造商
Fairchild Semiconductor
配置
集电极—发射极最大电压
VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
2.3 V
栅极/发射极最大电压
20 V 在25
C的连续集电极电流
150 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
功率耗散
187 W
封装/箱体
TO-247
封装
Tube

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更新时间：2024-5-11 18:41:00

IC供应商	芯片型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市科芯源微电子有限公司	IXGP15N120B	IXYS/艾赛斯	24+	TO220	58000	全新原厂原装正品现货,可提供技术支持、样品免费!	询价
易创佳业科技（深圳）有限公司	IXGP15N120B	IXYS/艾赛斯	23+	TO-220	6000	原装正品，支持实单	询价
深圳市芯福林电子科技有限公司	IXGP15N120B	IXYS	21+	TO220AB	13880	公司只售原装,支持实单	询价
深圳兆威电子有限公司	IXGP15N120B2	IXYS/艾赛斯	23+	TO-220	90000	只做原厂渠道价格优势可提供技术支持	询价
深圳市维尔达电子有限公司	IXGP15N120B	IXYS	2023+	TO-220	80000	一级代理/分销渠道价格优势十年芯程一路只做原装正品	询价
深圳市科恒伟业电子有限公司	IXGP15N120B	IXYS	1822+	TO-220	9852	只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!!	询价
深圳市惊羽科技有限公司	IXGP15N120B	IXYS-艾赛斯	24+25+/26+27+	TO-220-3	6328	一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库	询价
深圳市芯祺盛科技有限公司	IXGP15N120B	IXYS	1746+	TO220	8862	深圳公司现货!特价支持工厂客户!提供样品!	询价
深圳市宏捷佳电子科技有限公司	IXGP15N120B	IXYS	23+	TO-TO-220	12300	全新原装真实库存含13点增值税票!	询价
深圳市特顺芯科技有限公司	IXGP15N120B	IXYS	08+(pbfree)	TO-220	8866		询价

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IXDP610数字脉宽调制器（DPWM）是一个可编程CMOSLSI器件接收数字从一个微处理器的脉冲宽度数据并生成两个相辅相成的，非重叠，脉冲宽度调制直接数字控制信号开关电源的桥梁。DPWM是根据操作直接控制的微处理器和与大多数标准的接口，轻松微处理器和微型计算机巴士。IXDP610封装在18引脚超薄的DP。所产生的PWM波形IXDP610从比较的结果输出的脉冲宽度计数器在脉冲宽度存储的电话号码锁存（见下文）。一个可编程“死时间”已被纳入PWM波形。死区时间逻辑禁用在每两个输出比较器输出的过渡所需的死区时间间隔。输出级提供互补PWM输出信号的能力下沉和采购20毫安的TTL电压水平。输出禁用
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