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IXGH24N60C4D1

High-GainIGBTw/Diode

High-SpeedPTTrenchIGBT Features ●OptimizedforLowSwitchingLosses ●SquareRBSOA ●Anti-ParallelUltraFastDiode ●InternationalStandardPackage Advantages ●HighPowerDensity ●LowGateDriveRequirement Applications ●PowerInverters ●UPS ●MotorDrives ●SMPS ●PFCCircu

IXYS

IXYS Integrated Circuits Division

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IXGH24N60C4D1

封装/外壳:TO-247-3 包装:管件 描述:IGBT 600V 56A 190W TO247 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

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High-SpeedPTTrenchIGBT

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IXGH24N60C4D1产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IXGH24N60C4D1

  • 功能描述

    IGBT 模块 High Frequency Range 40khz C-IGBT w/Diode

  • RoHS

  • 制造商

    Infineon Technologies

  • 产品

    IGBT Silicon Modules

  • 配置

    Dual 集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    600 V

  • 集电极—射极饱和电压

    1.95 V 在25

  • C的连续集电极电流

    230 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    445 W

  • 最大工作温度

    + 125 C

  • 封装/箱体

    34MM

更新时间:2024-6-5 17:19:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IXYS
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