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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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IXGH12N60C | HiPerFASTIGBTLightspeedSeries Features •VeryhighfrequencyIGBT •NewgenerationHDMOSTMprocess •InternationalstandardpackageJEDECTO-247 •Highpeakcurrenthandlingcapability Applications •PFCcircuit •ACmotorspeedcontrol •DCservoandrobotdrives •Switch-modeandresonant-modepowersupplies •High | IXYS IXYS Integrated Circuits Division |  |   |
IXGH12N60C | 封装/外壳：TO-247-3 包装：管件 描述：IGBT 600V 24A 100W TO247AD 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 | IXYS IXYS Integrated Circuits Division | | |
HiPerFASTTMIGBTLightspeedTMSeries VCES=600V IC25=24A VCE(sat)=2.7V tfi(typ)=55ns Features ●VeryhighfrequencyIGBT ●NewgenerationHDMOSTMprocess ●InternationalstandardpackageJEDECTO-247AD ●Highpeakcurrenthandlingcapability Applications ●PFCcircuit ●ACmotorspeedc | IXYS IXYS Integrated Circuits Division | | | |
封装/外壳：TO-247-3 包装：管件 描述：IGBT 600V 24A 100W TO247AD 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 | IXYS IXYS Integrated Circuits Division | | | |
12Amps,600/650VoltsN-CHANNELMOSFET TheUTC12N60areN-Channelenhancementmodepowerfieldeffecttransistors(MOSFET)whichareproducedusingUTCsproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thesedevicesaresuitedforhighefficiencyswitchmodepowersupply.Tominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingp | UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司 |  | | |
12Amps,600/650VoltsN-CHANNELMOSFET 文件：358.2 Kbytes Page：7 Pages | UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司 | | | |
12A600VN-channelEnhancementModePowerMOSFET 文件：897.58 Kbytes Page：11 Pages | WXDHJiangsu Donghai Semiconductor Technology Co.,Ltd 东海半导体江苏东海半导体科技有限公司 |  | | |
12A600VN-channelEnhancementModePowerMOSFET 文件：898.09 Kbytes Page：11 Pages | WXDHJiangsu Donghai Semiconductor Technology Co.,Ltd 东海半导体江苏东海半导体科技有限公司 | | | |
12A600VN-channelEnhancementModePowerMOSFET 文件：897.54 Kbytes Page：11 Pages | WXDHJiangsu Donghai Semiconductor Technology Co.,Ltd 东海半导体江苏东海半导体科技有限公司 | | |
IXGH12N60C产品属性
- 类型
描述
- 型号
IXGH12N60C
- 功能描述
IGBT 晶体管 20 Amps 600V 2.7 Rds
- RoHS
否
- 制造商
Fairchild Semiconductor
- 配置
集电极—发射极最大电压
- VCEO
650 V
- 集电极—射极饱和电压
2.3 V
- 栅极/发射极最大电压
20 V 在25
- C的连续集电极电流
150 A
- 栅极—射极漏泄电流
400 nA
- 功率耗散
187 W
- 封装/箱体
TO-247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IXYS/艾赛斯 |
24+ |
TO247 |
58000 |
全新原厂原装正品现货,可提供技术支持、样品免费! |
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IXYS |
20+ |
TO-247 |
36900 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
|||
IXYS |
2020+ |
TO-247 |
16800 |
绝对原装进口现货,假一赔十,价格优势!? |
|||
IXYS/艾赛斯 |
23+ |
TO-247 |
6000 |
原装正品，支持实单 |
|||
IXYS/艾赛斯 |
TO-247 |
265209 |
假一罚十原包原标签常备现货! |
||||
IXYS-艾赛斯 |
24+25+/26+27+ |
TO-247-3 |
78800 |
一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
|||
IXYS/艾赛斯 |
21+ROHS |
TO-247 |
12300 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
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IXYS |
21+ |
TO247AD (IXGH) |
13880 |
公司只售原装,支持实单 |
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IXYS |
1746+ |
TO247 |
8862 |
深圳公司现货!特价支持工厂客户!提供样品! |
|||
IXYS |
22+ |
TO247AD (IXGH) |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
IXGH12N60C芯片相关品牌
IXGH12N60C规格书下载地址
IXGH12N60C参数引脚图相关
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- l101
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- ku波段
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- jumper
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IXGH12N60C数据表相关新闻
IXFN300N10P
进口代理
2022-12-7IXFT60N60X3HV
IXFT60N60X3HV
2022-8-11IXFP22N65X2M
原装正品现货
2022-7-19IXGH60N60C3D1
IXGH60N60C3D1，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
2019-12-2IXOLAR?高效25％SolarMD模块SM111K04L
IXYS/Littelfuse的SolarMD模块非常适合为许多类型的电池供电或绿色电力产品充电
2019-9-17IXOLAR?高效25％SolarBIT太阳能电池KXOB25-12X1F
IXYS/Littelfuse的SolarBIT非常适合为许多类型的电池供电的电网产品充电
2019-9-17
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