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IXGH12N60BD1

HiPerFASTTMIGBT

VDSS=600V ID25=24A VCE(sat)=2.1V tfi(typ)=120ns Features •ModeratefrequencyIGBT •NewgenerationHDMOSTMprocess •InternationalstandardpackageJEDECTO-247 •Highpeakcurrenthandlingcapabilityandantiparalleldiodeinonepackage Applications

IXYS

IXYS Integrated Circuits Division

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IXGH12N60BD1

封装/外壳:TO-247-3 包装:管件 描述:IGBT 600V 24A 100W TO247AD 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

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IXYS Integrated Circuits Division

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IXGH12N60BD1产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IXGH12N60BD1

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 24 Amps 600V 2.1 Rds

  • RoHS

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

更新时间:2024-6-4 10:15:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IXYS
18+
TO-247
2050
公司大量全新原装 正品 随时可以发货
IXYS/艾赛斯
23+
TO-247
10000
公司只做原装正品
IXYS/艾赛斯
23+
TO-247
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原装正品,支持实单
IXYS/艾赛斯
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全新原厂原装正品现货,可提供技术支持、样品免费!
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只做原装进口现货,专注配单
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