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IXGH10N60AU1

LowVCE(sat)IGBTwithDiode,HighspeedIGBTwithDiodeCombiPacks

Features •Internationalstandardpackage JEDECTO-247AD •IGBTandanti-parallelFREDinone package •2ndgenerationHDMOSTMprocess •LowVCE(sat) -forlowon-stateconductionlosses •MOSGateturn-on -drivesimplicity •FastRecoveryEpitaxialDiodeFRED) -softr

IXYS

IXYS Integrated Circuits Division

IXYS

IXGH10N60AU1产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IXGH10N60AU1

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 G-series A,B,C

  • RoHS

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

更新时间:2024-6-6 19:09:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IXYS/艾赛斯
24+
TO247
58000
全新原厂原装正品现货,可提供技术支持、样品免费!
IXYS/艾赛斯
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明嘉莱只做原装正品现货
IXYS/艾赛斯
2022
TO247
80000
原装现货,OEM渠道,欢迎咨询
IXYS
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TO-247
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公司大量全新原装 正品 随时可以发货
IXYS/艾赛斯
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原装正品,支持实单
IXYS-艾赛斯
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IXYS/艾赛斯
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TO247AD (IXGH)
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