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位置：首页 > IC中文资料第12419页 > IXGF32N170

型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
IXGF32N170

HighVoltageIGBT

Features •ElectricallyIsolatedTab •HighCurrentHandlingCapability •RuggedNPTStructure •MoldingEpoxiesMeetUL94V-0FlammabilityClassification Applications •CapacitorDischarge&PulserCircuits •ACMotorDrives •UninterruptiblePowerSupplies(UPS) •Switched-Modeand

IXYS

IXYS Integrated Circuits Division

IXYS
IXGF32N170

封装/外壳：i4-Pac™-5（3 引线） 包装：管件 描述：IGBT 1700V 44A 200W I4PAC 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

IXYS

IXYS Integrated Circuits Division

IXYS
IXGH32N170

HighVoltageIGBT

Features ●InternationalstandardpackagesJEDECTO-268andJEDECTO-247AD ●Highcurrenthandlingcapability ●MOSGateturn-on-drivesimplicity ●RuggedNPTstructure ●MoldingepoxiesmeetUL94V-0flammabilityclassification Applications ●Capacitordischarge&pulsercircuits

IXYS

IXYS Integrated Circuits Division

IXYS
IXGH32N170A

HighVoltageIGBT

Features ●InternationalstandardpackagesJEDECTO-268andJEDECTO-247AD ●Highcurrenthandlingcapability ●MOSGateturn-on-drivesimplicity ●RuggedNPTstructure ●MoldingepoxiesmeetUL94V-0flammabilityclassification Applications ●Capacitordischarge&pulsercircuits

IXYS

IXYS Integrated Circuits Division

IXYS
IXGT32N170

HighVoltageIGBT

Features ●InternationalstandardpackagesJEDECTO-268andJEDECTO-247AD ●Highcurrenthandlingcapability ●MOSGateturn-on-drivesimplicity ●RuggedNPTstructure ●MoldingepoxiesmeetUL94V-0flammabilityclassification Applications ●Capacitordischarge&pulsercircuits

IXYS

IXYS Integrated Circuits Division

IXYS
IXGT32N170A

HighVoltageIGBT

Features ●InternationalstandardpackagesJEDECTO-268andJEDECTO-247AD ●Highcurrenthandlingcapability ●MOSGateturn-on-drivesimplicity ●RuggedNPTstructure ●MoldingepoxiesmeetUL94V-0flammabilityclassification Applications ●Capacitordischarge&pulsercircuits

IXYS

IXYS Integrated Circuits Division

IXYS

IXGF32N170产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IXGF32N170

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 26 Amps 1700V 3.5 V Rds

  • RoHS

    否

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

IXGF32N170供应商更多...

更新时间：2024-5-11 16:18:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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IXGF32N170
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