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位置：首页 > IC中文资料第6618页 > IXFR58N20Q

型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
IXFR58N20Q

HiPerFETPowerMOSFETsISOPLUS247Q-Class

HiPerFET™PowerMOSFETsISOPLUS247™Q-Class(ElectricallyIsolatedBackSurface) N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated,HighdV/dt LowGateChargeandCapacitances Features •SiliconchiponDirect-Copper-Bondsubstrate -Highpowerdissipation -Isolatedmountingsurface

IXYS

IXYS Integrated Circuits Division

IXYS
IXFH58N20

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent–ID=58A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=200V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=40mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCco

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
IXFH58N20

HiPerFETPowerMOSFETs

HiPerFETs ThehIPerFETfamilyofPowerMOSFETsisdesignedtoprovicesuperiordv/dt,performancewhileeliminatingtheneedfordiscrete,faserecoveryfreewheelingrectifiersInaboardrangeofpowerswitchingapplications.

IXYS

IXYS Integrated Circuits Division

IXYS
IXFH58N20Q

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent–ID=58A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=200V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=40mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCco

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
IXFH58N20Q

HiPerFETPowerMOSFETs

N-ChannelEnhancementModeAvalancheRatedHighdv/dt,LowQg Features •IXYSadvancedlowQgprocess •Internationalstandardpackages •Lowgatechargeandcapacitance -easiertodrive -fasterswitching •LowRDS(on) •UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated •Moldingepoxi

IXYS

IXYS Integrated Circuits Division

IXYS
IXFM58N20

HiPerFETPowerMOSFETs

HiPerFETs ThehIPerFETfamilyofPowerMOSFETsisdesignedtoprovicesuperiordv/dt,performancewhileeliminatingtheneedfordiscrete,faserecoveryfreewheelingrectifiersInaboardrangeofpowerswitchingapplications.

IXYS

IXYS Integrated Circuits Division

IXYS

IXFR58N20Q产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IXFR58N20Q

  • 功能描述

    MOSFET 50 Amps 200V 0.04 Rds

  • RoHS

    否

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS（导通）

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

IXFR58N20Q供应商更多...

更新时间：2024-5-3 8:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市维尔达电子有限公司
IXFR58N20Q
ir
2023+
TO-247
80000
一级代理/分销渠道价格优势 十年芯程一路只做原装正品
询价
深圳市惊羽科技有限公司
IXFR58N20Q
IXYS-艾赛斯
24+25+/26+27+
TO-247-3
78800
一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库
询价
深圳市宏捷佳电子科技有限公司
IXFR64N50P
IXYS
23+
ISOPLUS247
12300
全新原装真实库存含13点增值税票!
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深圳宝隆芯业科技有限公司
IXFR64N50P
IXYS
23+
SMD
67000
原装正品实单可谈 库存现货
询价
深圳市创新迹电子有限公司
IXFR58N20Q
IXYS/艾赛斯
22+
ISOPLUS247
25000
只做原装进口现货,专注配单
询价
深圳市国宇半导体科技有限公司
IXFR64N50P
IXYS/艾赛斯
23+
ISOPLUS247
10000
公司只做原装正品
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深圳市达恩科技有限公司
IXFR64N50Q3
IXYS
18+
NA
3000
进口原装正品优势供应QQ3171516190
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深圳市河锋鑫科技有限公司
IXFR58N20Q
IXYS/艾赛斯
22+
ISOPLUS247
6000
十年配单,只做原装
询价
深圳市中利达电子科技有限公司
IXFR64N50P
IXYS/LITTELFUSE
23+
TO-247
300
只做原装提供一站式配套供货中利达
询价
深圳兆威电子有限公司
IXFR64N50P
VB
2019
ISOPLUS247
55000
绝对原装正品假一罚十!
询价

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