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位置：首页 > IC中文资料第2352页 > IXFR55N50

型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
IXFR55N50

HiPerFET-TMPowerMOSFETsISOPLUS247-TM

HiPerFET™PowerMOSFETsISOPLUS247™(ElectricallyIsolatedBackSurface) SingleDieMOSFET Features •SiliconchiponDirect-Copper-Bondsubstrate -Highpowerdissipation -Isolatedmountingsurface -2500Velectricalisolation •Lowdraintotabcapacitance(

IXYS

IXYS Integrated Circuits Division

IXYS
IXFR55N50F

HiPerRFPowerMOSFETsF-Class:MegaHertzSwitching

VDSS=500V ID25=55A RDS(on)=90mΩ trr≤250ns Features ●SiliconchiponDirect-Copper-Bondsubstrate -Highpowerdissipation -Isolatedmountingsurface -2500Velectricalisolation ●RFcapableMosfets ●Lowgatechargeandcapacitances -easiertodrive -faste

IXYS

IXYS Integrated Circuits Division

IXYS
IXFE55N50

HiPerFETTMPowerMOSFET

HiPerFETPowerMOSFET SingleDieMOSFET Features •Lowcostdirect-copperbondedaluminiumpackage •EncapsulatingepoxymeetsUL94V-0,flammabilityclassification •2500Visolation •Lowdraintocasecapacitance •LowRDS(on)HDMOSTMprocess •Ruggedpolysilicongatecellstructure •

IXYS

IXYS Integrated Circuits Division

IXYS
IXFK55N50

HiPerFETPowerMOSFET

HiPerFET™PowerMOSFET SingleDieMOSFET Features •Internationalstandardpackages •Encapsulatingepoxymeets UL94V-0,flammabilityclassification •miniBLOCwithAluminiumnitride isolation •LowRDS(on)HDMOSTMprocess •Ruggedpolysilicongatecellstructure •Unc

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IXYS Integrated Circuits Division

IXYS
IXFK55N50

HiPerFETPowerMOSFET

HiPerFET™PowerMOSFET SingleDieMOSFET Features •Internationalstandardpackages •Encapsulatingepoxymeets UL94V-0,flammabilityclassification •miniBLOCwithAluminiumnitride isolation •LowRDS(on)HDMOSTMprocess •Ruggedpolysilicongatecellstructure •Unc

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IXYS Integrated Circuits Division

IXYS
IXFK55N50

HiPerRFPowerMOSFETs

HiPerFET™PowerMOSFET F-Class:MegaHertzSwitching N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated,LowQg,LowIntrinsicRg HighdV/dt,Lowtrr Features •RFcapableMosfets •Ruggedpolysilicongatecellstructure •Doublemetalprocessforlowgate resistance •Unclamped

IXYS

IXYS Integrated Circuits Division

IXYS
IXFG55N50

HiPerFETPowerMOSFETsISOPLUS247

文件：100.92 Kbytes Page：2 Pages

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IXYS Integrated Circuits Division

IXYS

IXFR55N50产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IXFR55N50

  • 功能描述

    MOSFET 48 Amps 500V 0.08 Rds

  • RoHS

    否

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS（导通）

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

IXFR55N50供应商更多...

更新时间：2024-5-10 18:28:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市威雅利发展有限公司
IXFR55N50
IXYS
18+
TO-247
80
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
询价
易创佳业科技（深圳）有限公司
IXFR55N50
IXYS/艾赛斯
23+
ISOPLUS247
6000
原装正品，支持实单
询价
深圳市得捷芯城科技有限公司
IXFR55N50
IXYS/艾赛斯
23+
NA/
3332
原装现货,当天可交货,原型号开票
询价
深圳廊盛科技有限公司
IXFR55N50其他三极管
IXYS/艾赛斯
2022
TO-247
80000
原装现货,OEM渠道,欢迎咨询
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深圳市维尔达电子有限公司
IXFR55N50
ixys
2023+
TO-247
80000
一级代理/分销渠道价格优势 十年芯程一路只做原装正品
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瀚佳科技(深圳)有限公司
IXFR55N50
IXYS
18+
TO-247
2050
公司大量全新原装 正品 随时可以发货
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深圳市汇莱威科技有限公司
IXFR55N50
IXYS/艾赛斯
TO-247
265209
假一罚十原包原标签常备现货!
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深圳市惊羽科技有限公司
IXFR55N50
IXYS-艾赛斯
24+25+/26+27+
TO-247-3
2368
一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库
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深圳市环球伟业电子有限公司
IXFR55N50
IXYS/IXYS Integrated Circuits
21+
TO-247
80
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
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深圳市亿鸿丰电子科技有限公司
IXFR55N50
IXYS
TO-247
6000
原装现货,长期供应,终端可账期
询价

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