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IXFR52N30Q

封装/外壳:TO-247-3 包装:盒 描述:MOSFET N-CH 300V ISOPLUS247 分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 单个

IXYS

IXYS Integrated Circuits Division

IXYS

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=32A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=300V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=75mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-D

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent–ID=52A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=300V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=73mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCco

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

PolarHTPowerMOSFETHiPerFET

N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated FastIntrinsicDiode Features •Internationalstandardpackages •Fastrecoverydiode •Avalancherated •Lowpackageinductance -easytodriveandtoprotect Advantages •Easytomount •Spacesavings •Highpowerdensity

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PolarHTTMHiPerFETPowerMOSFET

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PowerMOSFETs

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IXFR52N30Q产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IXFR52N30Q

  • 功能描述

    MOSFET 52 Amps 300V

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2024-5-10 18:28:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IXYS
18+
TO-247
80
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
IXYS
23+
ISOPLUS247?
9000
原装正品,支持实单
IXYS/艾赛斯
23+
NA/
3332
原装现货,当天可交货,原型号开票
IXYS/艾赛斯
2022
TO-247
80000
原装现货,OEM渠道,欢迎咨询
ixys
2023+
TO-247
80000
一级代理/分销渠道价格优势 十年芯程一路只做原装正品
IXYS
18+
TO-247
2050
公司大量全新原装 正品 随时可以发货
IXYS/艾赛斯
TO-247
265209
假一罚十原包原标签常备现货!
IXYS-艾赛斯
24+25+/26+27+
TO-247-3
2368
一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库
IXYS/IXYS Integrated Circuits
21+
TO-247
80
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
IXYS
TO-247
6000
原装现货,长期供应,终端可账期

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