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位置：首页 > IC中文资料第2291页 > IKD06N60R

IKD06N60R价格

参考价格：￥3.5846

型号：IKD06N60RF 品牌：Infineon 备注：这里有IKD06N60R多少钱，2024年最近7天走势，今日出价，今日竞价，IKD06N60R批发/采购报价，IKD06N60R行情走势销售排行榜，IKD06N60R报价。
型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
IKD06N60R

RC-DriveandRC-DriveFast

文件：368.29 Kbytes Page：2 Pages

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

Infineon
IKD06N60R

?쏳C-DFast??RC-DrivesIGBToptimizedforhighswitchingfrequency

文件：886.12 Kbytes Page：16 Pages

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

Infineon
IKD06N60R

IGBTwithintegrateddiodeinpackagesofferingspacesavingadvantage

文件：1.89039 Mbytes Page：16 Pages

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

Infineon
IKD06N60R

封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 包装：管件 描述：IGBT TRENCH 600V 12A TO252-3 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

Infineon
IKD06N60RA

TRENCHSTOPTMRC-Seriesforhardswitchingapplications

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InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

Infineon
IKD06N60RAATMA2

封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 包装：管件 描述：IGBT 600V 12A 100W TO252-3 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

Infineon
IKD06N60RC2

CosteffectivemonolithicallyintegratedIGBTwithDiode

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InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

Infineon
IKD06N60RF

RC-DriveandRC-DriveFast

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Infineon
IKD06N60RF

IGBTwithintegrateddiodeinpackagesofferingspacesavingadvantage

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InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

Infineon
IKD06N60RF

?쏳C-DFast??RC-DrivesIGBToptimizedforhighswitchingfrequency

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InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

Infineon
IKD06N60RF_14

IGBTwithintegrateddiodeinpackagesofferingspacesavingadvantage

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InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

Infineon
IKD06N60RFA

OptimizedEon,EoffandQrrforlowswitchinglosses

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InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

Infineon
06N60E

N-CHANNELSILICONPOWERMOSFET

Features Maintainsbothlowpowerlossandlownoise LowerRDS(on)characteristic Morecontrollableswitchingdv/dtbygateresistance SmallerVGSringingwaveformduringswitching Narrowbandofthegatethresholdvoltage(3.0±0.5V) Highavalanchedurability Applica

FujiFUJI CORPORATION

株式会社ＦＵＪＩ

Fuji
CJP06N60

PowerfiledEffectTransistor

FEATURES ◆RobustHighVoltageTermination ◆AvalancheEnergySpecified ◆Source-to-DrainDiodeRecoveryTimeComparabletoa DiscreteFastRecoveryDiode ◆DiodeisCharacterizedforUseinBridgeCircuits ◆IDSSandVDS(on)SpecifiedatElevatedTemperature

JIANGSU

Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd

JIANGSU
AIHD06N60R

IGBTwithintegrateddiodeinpackagesofferingspacesavingadvantage

文件：1.92413 Mbytes Page：16 Pages

InfineonInfineon Technologies AG

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Infineon
AIHD06N60RF

IGBTwithintegrateddiodeinpackagesofferingspacesavingadvantage

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InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

Infineon
CMT06N60

POWERFIELDEFFECTTRANSISTOR

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ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

ETC

IKD06N60R产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IKD06N60R

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 600V Trenchstop RC Hard SW App, IGBT

  • RoHS

    否

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

IKD06N60R供应商更多...

更新时间：2024-6-1 23:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市高捷芯城科技有限公司
IKD06N60R
Infineon(英飞凌)
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TO-252
2669
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IKD06N60RF
INFINEON
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6000
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深圳市汇莱威科技有限公司
IKD06N60RA
INFINEON/英飞凌
TO252
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深圳市得捷芯城科技有限公司
IKD06N60RFATMA1
Infineon(英飞凌)
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IKD06N60RFATMA1
INFINEON
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IKD06N60RF
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深圳市赛特兴科技有限公司
IKD06N60RF
INFINEON/英飞凌
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深圳市华博特电子有限公司
IKD06N60RF
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深圳市赛能新源半导体有限公司
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INFINEON/英飞凌
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深圳市中联芯电子有限公司
IKD06N60RFATMA1
INFINEON/英飞凌
24+
TO252-3
6000
原装正品可追溯至原厂
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    https://hfx03.114ic.com/

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  • IKD06N60RF

    类别：分离式半导体产品家庭：IGBT-单路系列：TrenchStop?IGBT类型：沟道电压-集电极发射极击穿（最大）：600VVge，Ic时的最大Vce（开）：2.1V@15V，6A电流-集电极(Ic)（最大）：12A功率-最大：100W输入类型：标准型安装类型：表面贴装封装/外壳：TO-252-3，DPak（2引线+接片），SC-63供应商设备封装：PG-TO

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