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IKD06N60RAATMA2

封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 包装:管件 描述:IGBT 600V 12A 100W TO252-3 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

Infineon
更新时间:2024-6-15 18:06:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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原装现货假一赔十
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  • IKD06N60RF

    类别:分离式半导体产品家庭:IGBT-单路系列:TrenchStop?IGBT类型:沟道电压-集电极发射极击穿(最大):600VVge,Ic时的最大Vce(开):2.1V@15V,6A电流-集电极(Ic)(最大):12A功率-最大:100W输入类型:标准型安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-252-3,DPak(2引线+接片),SC-63供应商设备封装:PG-TO

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