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型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
IKD06N60RA

TRENCHSTOPTMRC-Seriesforhardswitchingapplications

文件：2.39499 Mbytes Page：16 Pages

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

Infineon
IKD06N60RAATMA2

封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 包装：管件 描述：IGBT 600V 12A 100W TO252-3 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

Infineon
06N60E

N-CHANNELSILICONPOWERMOSFET

Features Maintainsbothlowpowerlossandlownoise LowerRDS(on)characteristic Morecontrollableswitchingdv/dtbygateresistance SmallerVGSringingwaveformduringswitching Narrowbandofthegatethresholdvoltage(3.0±0.5V) Highavalanchedurability Applica

FujiFUJI CORPORATION

株式会社ＦＵＪＩ

Fuji
CJP06N60

PowerfiledEffectTransistor

FEATURES ◆RobustHighVoltageTermination ◆AvalancheEnergySpecified ◆Source-to-DrainDiodeRecoveryTimeComparabletoa DiscreteFastRecoveryDiode ◆DiodeisCharacterizedforUseinBridgeCircuits ◆IDSSandVDS(on)SpecifiedatElevatedTemperature

JIANGSU

Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd

JIANGSU
AIHD06N60R

IGBTwithintegrateddiodeinpackagesofferingspacesavingadvantage

文件：1.92413 Mbytes Page：16 Pages

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

Infineon
AIHD06N60RF

IGBTwithintegrateddiodeinpackagesofferingspacesavingadvantage

文件：1.74081 Mbytes Page：16 Pages

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

Infineon
CMT06N60

POWERFIELDEFFECTTRANSISTOR

文件：191.5 Kbytes Page：6 Pages

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

ETC

IKD06N60RA供应商更多...

更新时间：2024-6-1 23:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市高捷芯城科技有限公司
IKD06N60RA
Infineon(英飞凌)
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深圳市得捷芯城科技有限公司
IKD06N60RAIKD06N60R
INFINEON/英飞凌
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IKD06N60RAATMA1
INFINE0N
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深圳市芯福林电子科技有限公司
IKD06N60RATMA1
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TO2523
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深圳市芯巴巴科技有限公司
IKD06N60RA
Infineon/英飞凌
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深圳市汇莱威科技有限公司
IKD06N60RA
INFINEON/英飞凌
TO252
7906200
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深圳市科恒伟业电子有限公司
IKD06N60RA
INFINEON/英飞凌
21+
TO-252
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深圳廊盛科技有限公司
IKD06N60RAIKD06N60RMOS(场效应管)
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天津市博通航睿技术有限公司
IKD06N60RATMA1
INFINEON
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深圳市跃创芯科技有限公司
IKD06N60RA
Infineon/英飞凌
22+
TO252-3
25000
只做原装进口现货,专注配单
询价

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    https://hfx03.114ic.com/

    2022-2-19

  • IKD06N60RF

    类别：分离式半导体产品家庭：IGBT-单路系列：TrenchStop?IGBT类型：沟道电压-集电极发射极击穿（最大）：600VVge，Ic时的最大Vce（开）：2.1V@15V，6A电流-集电极(Ic)（最大）：12A功率-最大：100W输入类型：标准型安装类型：表面贴装封装/外壳：TO-252-3，DPak（2引线+接片），SC-63供应商设备封装：PG-TO

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  • IKCS12F60B2C原装现货

    马达/运动/点火控制器和驱动器SNGLIN-LINEINTELLIGNTPWRMODUL

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