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位置：首页 > IC中文资料第1065页 > IDT71V424S10Y

型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
IDT71V424S10Y

3.3VCMOSSTATICRAM4MEG(512Kx8-BIT)

DESCRIPTION: TheIDT71V424isa4,194,304-bithigh-speedStaticRAMorganizedas512Kx8.ItisfabricatedusingIDT’shigh-perfomance,high-reliabilityCMOStechnology.Thisstate-of-he-arttechnology,combinedwithinnovativecircuitdesigntechniques,providesacost-effectivesolutionforhi

IDTIntegrated Device Technology, Inc.

集成器深圳市集成器件技术有限公司

IDT
IDT71V424S10Y

封装/外壳：36-BSOJ（0.400"，10.16mm 宽） 包装：卷带（TR） 描述：IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ 集成电路（IC） 存储器

RENESASRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS
IDT71V424S10YG

3.3VCMOSSTATICRAM4MEG(512Kx8-BIT)

DESCRIPTION: TheIDT71V424isa4,194,304-bithigh-speedStaticRAMorganizedas512Kx8.ItisfabricatedusingIDT’shigh-perfomance,high-reliabilityCMOStechnology.Thisstate-of-he-arttechnology,combinedwithinnovativecircuitdesigntechniques,providesacost-effectivesolutionforhi

IDTIntegrated Device Technology, Inc.

集成器深圳市集成器件技术有限公司

IDT
IDT71V424S10YGI

3.3VCMOSSTATICRAM4MEG(512Kx8-BIT)

DESCRIPTION: TheIDT71V424isa4,194,304-bithigh-speedStaticRAMorganizedas512Kx8.ItisfabricatedusingIDT’shigh-perfomance,high-reliabilityCMOStechnology.Thisstate-of-he-arttechnology,combinedwithinnovativecircuitdesigntechniques,providesacost-effectivesolutionforhi

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IDT
IDT71V424S10YI

3.3VCMOSSTATICRAM4MEG(512Kx8-BIT)

DESCRIPTION: TheIDT71V424isa4,194,304-bithigh-speedStaticRAMorganizedas512Kx8.ItisfabricatedusingIDT’shigh-perfomance,high-reliabilityCMOStechnology.Thisstate-of-he-arttechnology,combinedwithinnovativecircuitdesigntechniques,providesacost-effectivesolutionforhi

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IDT71V424S10YI

封装/外壳：36-BSOJ（0.400"，10.16mm 宽） 包装：卷带（TR） 描述：IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ 集成电路（IC） 存储器

RENESASRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS
71V424S10PHG

3.3VCMOSStaticRAM

Description TheIDT71V424isa4,194,304-bithigh-speedStaticRAMorganizedas512Kx8.ItisfabricatedusingIDT’shigh-perfomance,high-reliabilityCMOStechnology.Thisstate-of-the-arttechnology,combinedwithinnovativecircuitdesigntechniques,providesacost-effectivesolutionforhi

IDTIntegrated Device Technology, Inc.

集成器深圳市集成器件技术有限公司

IDT
71V424S10PHG

3.3VCMOSStaticRAM4Meg(512Kx8-Bit)

Features ◆512Kx8advancedhigh-speedCMOSStaticRAM ◆JEDECCenterPower/GNDpinoutforreducednoise ◆Equalaccessandcycletimes —CommercialandIndustrial:10/12/15ns ◆Single3.3Vpowersupply ◆OneChipSelectplusoneOutputEnablepin ◆Bidirectionaldatainputsandoutputs

RENESASRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS
71V424S10PHGI

3.3VCMOSStaticRAM4Meg(512Kx8-Bit)

Features ◆512Kx8advancedhigh-speedCMOSStaticRAM ◆JEDECCenterPower/GNDpinoutforreducednoise ◆Equalaccessandcycletimes —CommercialandIndustrial:10/12/15ns ◆Single3.3Vpowersupply ◆OneChipSelectplusoneOutputEnablepin ◆Bidirectionaldatainputsandoutputs

RENESASRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS
71V424S10PHGI

3.3VCMOSStaticRAM

Description TheIDT71V424isa4,194,304-bithigh-speedStaticRAMorganizedas512Kx8.ItisfabricatedusingIDT’shigh-perfomance,high-reliabilityCMOStechnology.Thisstate-of-the-arttechnology,combinedwithinnovativecircuitdesigntechniques,providesacost-effectivesolutionforhi

IDTIntegrated Device Technology, Inc.

集成器深圳市集成器件技术有限公司

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71V424S10YG

3.3VCMOSStaticRAM

Description TheIDT71V424isa4,194,304-bithigh-speedStaticRAMorganizedas512Kx8.ItisfabricatedusingIDT’shigh-perfomance,high-reliabilityCMOStechnology.Thisstate-of-the-arttechnology,combinedwithinnovativecircuitdesigntechniques,providesacost-effectivesolutionforhi

IDTIntegrated Device Technology, Inc.

集成器深圳市集成器件技术有限公司

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IDT71V424S10Y产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IDT71V424S10Y

  • 功能描述

    IC SRAM 4MBIT 10NS 36SOJ

  • RoHS

    否

  • 类别

    集成电路(IC) >> 存储器

  • 系列

    -

  • 标准包装

    576

  • 系列

    - 格式 -

  • 存储器

    闪存

  • 存储器类型

    闪存 - NAND

  • 存储容量

    512M（64M x 8）

  • 速度

    -

  • 接口

    并联

  • 电源电压

    2.7 V ~ 3.6 V

  • 工作温度

    -40°C ~ 85°C

  • 封装/外壳

    48-TFSOP（0.724，18.40mm 宽）

  • 供应商设备封装

    48-TSOP

  • 包装

    托盘

  • 其它名称

    497-5040

IDT71V424S10Y供应商更多...

更新时间：2024-5-15 19:15:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市凌旭科技有限公司
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