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H7N0603DS

SiliconNChannelMOSFETHighSpeedPowerSwitching

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瑞萨瑞萨科技有限公司

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iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=30A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=15mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

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H7N0603DS产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    H7N0603DS

  • 制造商

    RENESAS

  • 制造商全称

    Renesas Technology Corp

  • 功能描述

    Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

更新时间:2024-6-4 17:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
瑞萨RENESA
22+
DPAK(S)
30000
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