型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
H7N0603DL

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=30A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=15mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
H7N0603DL

SiliconNChannelMOSFETHighSpeedPowerSwitching

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瑞萨瑞萨科技有限公司

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H7N0603DL产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    H7N0603DL

  • 制造商

    RENESAS

  • 制造商全称

    Renesas Technology Corp

  • 功能描述

    Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

更新时间:2024-6-4 11:30:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
VB
2019
TO-251
55000
绝对原装正品假一罚十!
瑞萨Renesa
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VBSEMI/台湾微碧
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TO251
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RENESAS
2020+
TO-252
37560
公司代理品牌,原装现货超低价清仓!
TI/德州仪器
23+
MSOP8
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R
23+
TO-251
35400
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