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型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
NP84N055CHE

MOSFIELDEFFECTTRANSISTORSWITCHINGN-CHANNELPOWERMOSFET

DESCRIPTION TheseproductsareN-channelMOSFieldEffectTransistorsdesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Channeltemperature175degreerated •Superlowon-stateresistance RDS(on)=7.3mΩMAX.(VGS=10V,ID=42A) •Lowinputcapacitance Ciss=4540pF

NECRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

NEC
NP84N055CHE

MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR

SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET FEATURES •Channeltemperature175degreerated •Superlowon-stateresistance RDS(on)=7.3mΩMAX.(VGS=10V,ID=42A) •Lowinputcapacitance Ciss=4540pFTYP. •Built-ingateprotectiondiode

RENESASRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS
NP84N055CLE

MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR

SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET FEATURES •Channeltemperature175degreerated •Superlowon-stateresistance RDS(on)1=7.0mΩMAX.(VGS=10V,ID=42A) RDS(on)2=8.7mΩMAX.(VGS=5V,ID=42A) RDS(on)3=9.4mΩMAX.(VGS=4.5V,ID=42A) •Lowinputcapacitance Ciss=6

RENESASRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS
NP84N055CLE

MOSFIELDEFFECTTRANSISTORSWITCHINGN-CHANNELPOWERMOSFET

DESCRIPTION TheseproductsareN-channelMOSFieldEffectTransistorsdesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Channeltemperature175degreerated •Superlowon-stateresistance RDS(on)1=7.0mΩMAX.(VGS=10V,ID=42A) RDS(on)2=8.7mΩMAX.(VGS=5V,ID=

NECRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

NEC
NP84N055DHE

MOSFIELDEFFECTTRANSISTORSWITCHINGN-CHANNELPOWERMOSFET

DESCRIPTION TheseproductsareN-channelMOSFieldEffectTransistorsdesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Channeltemperature175degreerated •Superlowon-stateresistance RDS(on)=7.3mΩMAX.(VGS=10V,ID=42A) •Lowinputcapacitance Ciss=4540pF

NECRenesas Electronics America

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84N055EHE供应商更多...

更新时间：2024-4-30 10:10:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
京海半导体(深圳)有限公司
NP84N055EHE
NEC
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NP84N055DHE
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NP84N055KHE
RENESAS/瑞萨
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易创佳业科技（深圳）有限公司
NP84N055EHE
NEC
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TO-263
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