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ZXMHC6A07N8TC

60V SO8 Complementary enhancement mode MOSFET H-Bridge

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DIODES

美台半导体

60V SO8 Complementary enhancement mode MOSFET H-Bridge

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DIODES

美台半导体

ZXMHC6A07N8TC产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    ZXMHC6A07N8TC

  • 功能描述

    MOSFET Mosfet H-Bridge 60/-60V 1.8/-1.4A

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-10-7 23:07:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
DIODES/美台
24+
NA
30000
房间原装现货特价热卖,有单详谈
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