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ZXMHC6A07N8TC中文资料

厂家型号

ZXMHC6A07N8TC

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11

功能描述

60V SO8 Complementary enhancement mode MOSFET H-Bridge

MOSFET Mosfet H-Bridge 60/-60V 1.8/-1.4A

数据手册

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生产厂商

DIODES

ZXMHC6A07N8TC产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    ZXMHC6A07N8TC

  • 功能描述

    MOSFET Mosfet H-Bridge 60/-60V 1.8/-1.4A

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-11-26 17:08:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
DIODES/美台
25+
SOP
32360
DIODES/美台全新特价ZXMHC6A07N8TC即刻询购立享优惠#长期有货
DIODES
24+
N/A
10000
只做原装,实单最低价支持
DIODES/美台
24+
SOP
45000
只做全新原装进口现货
DIODES/美台
24+
N/A
500000
美台原厂超低价支持
DIODES/美台
2450+
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9850
只做原装正品现货或订货假一赔十!
DIODES(美台)
24+
SO-8
9555
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。
Diodes
22+
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9000
原厂渠道,现货配单
DIODES
2016+
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DIODES
1923+
SOP
1805
原装现货假一罚十