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N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

Description TheG080N06Kusesadvancedtrenchtechnologytoprovide excellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedinawide varietyofapplications. Application lPowerswitch lDC/DCconverters

GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR

谷峰半导体

GOFORD

N-Channel60V(D-S)MOSFET

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VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI

OptiMOS??Power-TransistorFeaturesLowgatechargeforfastswitchingapplications

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InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

Infineon

OptiMOS짰Power-Transistor

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InfineonInfineon Technologies AG

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Infineon
更新时间:2025-7-19 23:00:01
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