型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
080N06N

N-Channel 60 V (D-S) MOSFET

文件:1.68923 Mbytes Page:7 Pages

VBSEMI

微碧半导体

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Description The G080N06K uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application l Power switch l DC/DC converters

GOFORD

谷峰半导体

OptiMOS짰 Power-Transistor

文件:446.46 Kbytes Page:10 Pages

Infineon

英飞凌

OptiMOS??Power-Transistor Features Low gate charge for fast switching applications

文件:421.18 Kbytes Page:10 Pages

Infineon

英飞凌

OptiMOS??Power-Transistor Features Low gate charge for fast switching applications

文件:421.18 Kbytes Page:10 Pages

Infineon

英飞凌

更新时间:2025-9-30 9:44:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
INF
23+
TO-220
50000
全新原装正品现货,支持订货
INFINEON/英飞凌
23+
SOP-8
3000
一级代理原厂VIP渠道,专注军工、汽车、医疗、工业、
VBSEMI/台湾微碧
22+
SOP8
20000
现货,原厂原装假一罚十!
24+
N/A
64000
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择
INF
20+
TO-220
38560
原装优势主营型号-可开原型号增税票
INF
23+
TO-220
7000
I
23+
TO-263S
6000
原装正品,支持实单
INF进口原
17+
TO-220
6200
INF
24+
NA/
3350
原装现货,当天可交货,原型号开票
INF
0636+
TO-220
100
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力

080N06N数据表相关新闻