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1200 V αSiC Silicon Carbide Schottky Barrier Diode

Features • Proprietary αSiC Schottky Barrier Diode technology • Negligible reverse recovery current • Maximum operating junction temperature of 175°C • Improved switching losses vs. Si bipolar diodes • Positive temperature coefficient for ease of paralleling Applications Renewable Industr

AOSMD

万国半导体

LOW VF SCHOTTKY RECTIFIER

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更新时间:2025-12-28 23:54:01
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