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isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current : ID= 10A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 60V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.38Ω(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-D

ISC

无锡固电

DESIGN/PROCESS CHANGE NOTIFICATION

Description SuperFET®II MOSFET is Fairchild Semiconductor®’s first generation of high voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on-resistance and lower gate charge performance.This advanced technology is tailored to minimize conducti

Fairchild

仙童半导体

FCD380N60E N-Channel SuperFET II Easy-Drive MOSFET 600 V, 10.2 A, 380 m廓

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Fairchild

仙童半导体

N-Channel SuperFET짰 II MOSFET 600 V, 10.2 A, 380 m廓

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仙童半导体

FCD380N60E N-Channel SuperFET II Easy-Drive MOSFET 600 V, 10.2 A, 380 m廓

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仙童半导体

更新时间:2026-1-1 11:26:01
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    优势渠道

    2023-10-16
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    2022-2-16
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    设备描述 该ZH431是一个三端可调并联稳压器提供卓越温度稳定性和输出电流处理能力高达30mA。输出电压可设置为任何选择的电压2.5至36伏的两个选择外部分压器电阻。该设备可以作为一个替换在许多应用中齐纳二极管齐纳的改善,需要在performance.They也是在理想的使用离线SMPUs的反馈电路,还有许多通用稳压器和参考应用程序在初始精度低温度系数是关键要求。... 特征 ·表面贴装SO8封装,采用SOT223,SOT23封装并采用SOT89封装 · TO92封装 · 2%和1%的误差 ·最大温度系

    2013-3-12