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参考价格：￥5.4137

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FCD380N60E	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current : ID= 10A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 60V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.38Ω(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-D	ISC 无锡固电	ISC
FCD380N60E	功率 MOSFET，N 沟道，SUPERFET®，Easy Drive，600 V，10.2 A，380 mΩ，DPAK	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
FCD380N60E	N-Channel SuperFET짰 II MOSFET 600 V, 10.2 A, 380 m廓文件：205.55 Kbytes Page：9 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
FCD380N60E	FCD380N60E N-Channel SuperFET II Easy-Drive MOSFET 600 V, 10.2 A, 380 m廓文件：602.58 Kbytes Page：9 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
FCD380N60ECT-ND	FCD380N60E N-Channel SuperFET II Easy-Drive MOSFET 600 V, 10.2 A, 380 m廓文件：602.58 Kbytes Page：9 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
FCP380N60	DESIGN/PROCESS CHANGE NOTIFICATION Description SuperFET®II MOSFET is Fairchild Semiconductor®’s first generation of high voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on-resistance and lower gate charge performance.This advanced technology is tailored to minimize conducti	Fairchild 仙童半导体	Fairchild

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更新时间：2025-11-17 23:00:00

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FCD850N80Z
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2024-2-26
FC4010DS/AA-2272 D-Sub触点 Positronic
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2023-2-2
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2021-10-20
FCI连接器10120667-301LF原装现货
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2019-12-11
FCBS0550-智能功率模块（SPM）
一般描述它是一种先进的智能功率模块（SPM）的飞兆半导体新开发和设计提供非常紧凑，高性能的交流电机驱动器主要是针对低功耗变频驱动的应用程序，比如说冰箱。它结合了优化保护电路和驱动器匹配低损耗的MOSFET。系统的可靠性得到进一步增强，综合欠压锁定和短路保护。高高速内置HVIC提供光耦合器无单电源MOSFET栅极驱动能力，进一步减少整体大小的逆变器系统的设计。每相电流逆变器可监视分别因负分直流端子。特点 •UL认证No.E209204（SPM27- BA的包） •500伏- 5A型三相MOSFET逆变桥
2013-2-15