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60V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Features VDS = 60V,ID =20A RDS(ON),23mΩ(Typ) @ VGS =10V RDS(ON),29mΩ(Typ) @ VGS =4.5V Advanced Trench Technology Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Lead free product is acquired

UMW

友台半导体

60V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

General Description The 20N06 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Features VDS = 60V,ID =20A RDS(ON),23mΩ(Typ) @ VGS =10V RDS(ON),29mΩ(Typ) @ VGS =4.5V Advanced Trench Technology

EVVOSEMI

翊欧

20A mps,60 Volts N-CHANNEL MOSFET

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CHONGQING

平伟实业

Fast Switching

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ISC

无锡固电

N-Channel 60-V (D-S) MOSFET

文件:897.38 Kbytes Page:6 Pages

VBSEMI

微碧半导体

更新时间:2025-12-27 16:10:01
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