型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current : ID= 14.5A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) =0.45Ω(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC | ISC 无锡固电 | |||
isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current : ID= 17A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS=600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.45Ω(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-D | ISC 无锡固电 | |||
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS POWER MOS IV® N- CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS | ADPOW | |||
isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current : ID= 17A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.45Ω(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC- | ISC 无锡固电 | |||
SINGLE POLE, SINGLE THROW CONNECTORIZED SWITCHES 文件:40.48 Kbytes Page:1 Pages | MICRONETICS 微盟电子 |
IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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APT |
2025+ |
TO247 |
4165 |
全新原厂原装产品、公司现货销售 |
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优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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全新原厂原装,进口正品现货,正规渠道可含税!! |
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原厂原封 |
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