| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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YJD80N03A | N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 文件：627.12 Kbytes Page：6 Pages | YANGJIE 扬杰电子 |   | |
YJD80N03A | 中低压MOSFET(12V-400V) | YJYCOIN 益嘉源 | | |
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES • TrenchFET® Power MOSFET • 100 Rg and UIS Tested • Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU APPLICATIONS • OR-ing • Server • DC/DC | VBSEMI 微碧半导体 | | ||
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Features: ● Low Gate Charge for Fast Switching Application ● Low RDS(ON) to Minimize Conductive Loss ● 100% EAS Guaranteed ● Optimized V(BR)DSS Ruggedness ● Green Device Available Description: The ADM80N03Z uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with l | ADV 爱德微 | | ||
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 文件：1.00146 Mbytes Page：7 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | | ||
Fast Switching Characteristic 文件：82.72 Kbytes Page：7 Pages | A-POWER 富鼎先进电子 | | ||
Fast Switching Characteristic 文件：82.72 Kbytes Page：7 Pages | A-POWER 富鼎先进电子 | |
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2020-4-22YDA148-QZE2
深圳市科恒伟业电子有限公司 深圳市福田区华强北振兴路101号华匀大厦2栋5楼516 网站 http://www.kehengweiyedz.cn 网站http://www.kehengweiye.com 邮箱：yulin522@126.com 0755-83200050 15817287769 柯先生
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