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Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 320 W, 28 V, 2110 - 2170 MHz

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Cree

科锐

Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 320 W, 28 V, 2110 ??2170 MHz

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Infineon

英飞凌

更新时间:2025-12-29 16:10:01
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