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CGH40120F	120 W, RF Power GaN HEMT Description Cree’s CGH40120F is an unmatched, gallium nitride (GaN) high electron mobility transistor (HEMT). The CGH40120F, operating from a 28 volt rail, offers a general purpose, broadband solution to a variety of RF and microwave applications. GaN HEMTs offer high efficiency, high gain an	WOLFSPEED	WOLFSPEED
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CGH40120F	120 W, RF Power GaN HEMT 文件：1.21044 Mbytes Page：13 Pages	Cree 科锐	Cree
CGH40120F-AMP	120 W, RF Power GaN HEMT 文件：1.21044 Mbytes Page：13 Pages	Cree 科锐	Cree
CGH40120F-TB	120 W, RF Power GaN HEMT 文件：1.21044 Mbytes Page：13 Pages	Cree 科锐	Cree

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更新时间：2025-12-21 16:15:01

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XU208-128-QF48-C10
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2023-5-11
XV95288XL-10PQ208C
XV95288XL-10PQ208C深圳宇航军工半导体有限公司优势品牌：XILINX（赛灵思）、ALTERA（阿尔特拉）、SAMSUNG（三星）、MICRON（美光）、SK HYNIX（海力士）、NANYA 、BROADCOM （博通）、ISSI、INTEL（英特尔）
2020-7-28
XVS30XL-4PQ240C
XVS30XL-4PQ240C深圳宇航军工半导体有限公司优势品牌：XILINX（赛灵思）、ALTERA（阿尔特拉）、SAMSUNG（三星）、MICRON（美光）、SK HYNIX（海力士）、NANYA 、BROADCOM （博通）、ISSI、INTEL（英特尔）、TI（德州仪器）、MAXIM（美信）、ADI（亚德诺）、POWER、DAVICOM（
2020-7-28
XTR70015-D原装现货
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2019-11-8
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XW6T通用接线端子XW6T-COM1.5X16BL
欧姆龙的XW6T具有短杆，可实现预连接的公共接线，无需交叉接线
2019-9-19