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MicrowavePulsePowerSiliconNPNTransistor350W(peak),1025-1150MHz

Designedfor1025–1150MHzpulsecommonbaseamplifierapplicationssuchasTCAS,TACANandMode–Stransmitters. •Guaranteedperformance@1090MHz Outputpower=350WPeak Gain=8.5dBmin,9.0dB(typ.) •100testedforloadmismatchatallphaseangleswith10:1VSWR •Hermeticall

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MicastatDissipativeLaminate

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NylonPCBSupports-ImperialSpacing

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Improvedlightmanagementsystem

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艾迈斯欧司朗欧司朗光电半导体

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MicrowavePulsePowerSiliconNPNTransistor

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更新时间:2024-6-3 13:58:01
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