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HighVoltagePNPEpitaxialPlanarTransistor

Description •Highbreakdownvoltage.(BVCEO=-400V) •Lowsaturationvoltage,typicallyVCE(sat)=-0.07VatIc/IB=-10mA/-1mA. •WideSOA(safeoperationarea). •ComplementarytoBTNA44A3.

CYSTEKECCystech Electonics Corp.

全宇昕科技全宇昕科技股份有限公司

CYSTEKEC

SIDELOOKPACKAGENPNPHOTOTRANSISTOR

Description TheMID-94A3LisaTWINNPNsiliconphototransistormountedinaspecialdarkplasticsidelookingpackageandsuitablefortheIRED(940nm)Type. Features •Widerangeofcollectorcurrent •Lowcostplasticpackage

UOTUnity Opto Technology

东贝光电东贝光电科技股份有限公司

UOT
更新时间:2025-7-30 16:31:01
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