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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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XLMG3422R030RQZT | LMG342xR030 600-V 30-m廓 GaN FET with Integrated Driver, Protection, and Temperature Reporting 文件：1.2996 Mbytes Page：35 Pages | TI 德州仪器 |   | |
XLMG3422R030RQZT | LMG342xR030 600-V 30-m廓 GaN FET With Integrated Driver, Protection, and Temperature Reporting 文件：1.83559 Mbytes Page：45 Pages | TI 德州仪器 | | |
XLMG3422R030RQZT | LMG342xR030 600-V 30-m廓 GaN FET With Integrated Driver, Protection, and Temperature Reporting 文件：1.87183 Mbytes Page：45 Pages | TI 德州仪器 | | |
LMG342xR030 600V 30mΩ GaN FET With Integrated Driver, Protection, and Temperature Reporting 1 Features • Qualified for JEDEC JEP180 for hard-switching topologies • 600V GaN-on-Si FET with integrated gate driver – Integrated high precision gate bias voltage – 200V/ns FET hold-off – 2.2MHz switching frequency – 20V/ns to 150V/ns slew rate for optimization of switching performance a | TI 德州仪器 | | ||
LMG342xR030 600V 30mΩ GaN FET With Integrated Driver, Protection, and Temperature Reporting 1 Features • Qualified for JEDEC JEP180 for hard-switching topologies • 600V GaN-on-Si FET with integrated gate driver – Integrated high precision gate bias voltage – 200V/ns FET hold-off – 2.2MHz switching frequency – 20V/ns to 150V/ns slew rate for optimization of switching performance a | TI 德州仪器 | | ||
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| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TI |
25+ |
(RQZ) |
6000 |
原厂原装,价格优势 |
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TI/德州仪器 |
23+ |
VQFN|16 |
8080 |
正规渠道,只有原装! |
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TI |
25+ |
TO-9 |
22360 |
样件支持,可原厂排单订货! |
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TI(德州仪器) |
2447 |
VQFN|16 |
315000 |
250个/圆盘一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长 |
|||
TI/德州仪器 |
22+ |
VQFN|16 |
20000 |
原装正品 假一赔十! |
|||
TI/德州仪器 |
VQFN|16 |
6000 |
只做原装正品,卖元器件不赚钱交个朋友 |
||||
TI/德州仪器 |
2020+ |
VQFN|16 |
7600 |
||||
TI/德州仪器 |
25+ |
VQFN|16 |
8000 |
全新现货 |
|||
TI/德州仪器 |
25 |
VQFN|16 |
6000 |
原装正品 |
|||
SUNLED |
25+ |
光电元件 |
9136 |
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件! |
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2019-9-9
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