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HighPerformanceE2CMOSPLDGenericArrayLogic

Description TheGAL18V10,at7.5nsmaximumpropagationdelaytime,combinesahighperformanceCMOSprocesswithElectricallyErasable(E2)floatinggatetechnologytoprovideaveryflexible20-pinPLD.CMOScircuitryallowstheGAL18V10toconsumemuchlesspowerwhencomparedtoitsbipolar

LatticeLattice Semiconductor

莱迪思莱迪思半导体公司

Lattice
更新时间:2025-6-2 20:00:01
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