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-40V–-20A–P-channelPowerMOSFETApplication:Automotive

Description ThisproductisP-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features Superlowon-stateresistance:RDS(on)=25mMax.(VGS=-10V,ID=-10A) RDS(on)=38mMax.(VGS=-4.5V,ID=-10A) Lowinputcapacitance:Ciss=16

RENESASRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS

iscP-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=-20A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=-40V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=25mΩ(Max)@VGS=-10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

P-ChannelMOSFET

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LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd

雷卯电子上海雷卯电子科技有限公司

LEIDITECH

SinglePhase20.0AMPS.GlassPassivatedBridgeRectifiers

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TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd

台半 台湾半导体股份有限公司

TSC

SinglePhase20.0AMPS.GlassPassivatedBridgeRectifiers

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TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd

台半 台湾半导体股份有限公司

TSC
更新时间:2024-6-22 19:12:01
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