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WSF80N06

N-Ch MOSFET

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WIINSOK

微硕半导体

WSF80N06

中压场效应管(30-100V)

WIINSOK

微硕半导体

中压场效应管(30-100V)

WIINSOK

微硕半导体

Load switch. Battery protection.

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WIINSOK

微硕半导体

N-Channel 60 V (D-S) MOSFET

FEATURES • 175 °C Junction Temperature • TrenchFET® Power MOSFET • Material categorization:

VBSEMI

微碧半导体

N-Channel 60 V (D-S) MOSFET

FEATURES • 175 °C Junction Temperature • TrenchFET® Power MOSFET • Material categorization:

VBSEMI

微碧半导体

Fast Switching Speed

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ISC

无锡固电

N-Channel 60 V (D-S) MOSFET

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VBSEMI

微碧半导体

N-CHANNEL MOSFET in a TO-220 Plastic Package

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FOSHAN

蓝箭电子

更新时间:2025-12-29 23:01:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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TO-252-2(DPAK)
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TO-252
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    WSBS8518L1000JK14

    2021-9-8
  • WSC0001R2000F,WSC0001R3300FBA,WSC000212R00JTA

    WSC0001R2000F,WSC0001R3300FBA,WSC000212R00JTA

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    只做原装,假一罚十,可开16%增值税票。主营:魏德米勒,TE.NXP.ON.Renesas.Microchip.英飞凌.ALLEGRO

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    一般描述 该WSL431是3终端,规定工作温度范围内适用的商业热稳定性可调电压基准。输出电压可设置之间的任何电压Vref(2.505V)和20V两种(见图2)外部电阻值。 当与光耦合器使用,是一种理想的WSL431在隔离反馈电路的电压为2.505V至12V的参考开关模式电源。该器件的典型输出阻抗的o.1Ω。主动输出电路提供了一个非常尖锐的导通特性,使优秀WSL431在许多应用中替代齐纳二极管,包括板规例及可调电源。 特点 •精确的参考电压2.505V •保证0.5%,1%和2%的参考电压容

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