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WSF40N06	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology 文件：887.26 Kbytes Page：4 Pages	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司
WSF40N06D	N-ChMOSFET 文件：1.38071 Mbytes Page：5 Pages	WIINSOKShenzhen Guan Hua Wei Ye Co., Ltd 微硕半岛体深圳市龍華區大浪街道高峰社區忠信路9號匯億大廈807
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40N06	60VN-ChannelEnhancementModePowerMOSFET Features VDS=60V,ID=40A RDS(ON),14mΩ(Typ)@VGS=10V RDS(ON),16mΩ(Typ)@VGS=4.5V AdvancedTrenchTechnology ExcellentRDS(ON)andLowGateCharge Leadfreeproductisacquired	UMWUMW 友台友台半导体
40N06	FastSwitching 文件：68.1 Kbytes Page：2 Pages	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
40N06	N-Channel60-V(D-S)MOSFET 文件：897.86 Kbytes Page：6 Pages	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司
40N06B	38A竊?0VN-CHANNELMOSFET 文件：196.75 Kbytes Page：5 Pages	KIAGuangdong Keyia Semiconductor Technology Co., Ltd 可易亚半导体广东可易亚半导体科技有限公司
DTU40N06	TrenchFETPowerMOSFET 文件：278.63 Kbytes Page：7 Pages	DINTEK DinTek Semiconductor Co,.Ltd

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更新时间：2024-5-26 23:00:00

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2021-9-8
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2021-9-8
WSC0001R2000F，WSC0001R3300FBA，WSC000212R00JTA
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2020-4-11
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2019-4-2
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一般描述该WSL431是3终端，规定工作温度范围内适用的商业热稳定性可调电压基准。输出电压可设置之间的任何电压Vref（2.505V）和20V两种（见图2）外部电阻值。当与光耦合器使用，是一种理想的WSL431在隔离反馈电路的电压为2.505V至12V的参考开关模式电源。该器件的典型输出阻抗的o.1Ω。主动输出电路提供了一个非常尖锐的导通特性，使优秀WSL431在许多应用中替代齐纳二极管，包括板规例及可调电源。特点•精确的参考电压2.505V•保证0.5％，1％和2％的参考电压容
2013-3-13

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