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型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
WNM2020

丝印代码：W28*；N-Channel MOSFET

文件：1.31221 Mbytes Page：4 Pages

KEXIN

科信电子

WNM2020

N-Channel, 20V, 0.90A, Small Signal MOSFET

文件：447.19 Kbytes Page：6 Pages

WILLSEMIWill Semiconductor Co.,Ltd.

韦尔股份上海韦尔半导体股份有限公司

WNM2020

MOSFET/场效应管

YENJI

元基电子

WNM2020

场效应晶体管

OMNIVISION

豪威集团

WNM2020-3/TR

丝印代码：W28；N-Channel, 20V, 0.90A, Small Signal MOSFET

文件：447.19 Kbytes Page：6 Pages

WILLSEMIWill Semiconductor Co.,Ltd.

韦尔股份上海韦尔半导体股份有限公司

WNM2020-3/TR

N-Channel 20 V (D-S) MOSFET

文件：1.0516 Mbytes Page：9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

WNM2020-3SLASHTR

丝印代码：W28；N-Channel, 20V, 0.90A, Small Signal MOSFET

文件：447.19 Kbytes Page：6 Pages

WILLSEMIWill Semiconductor Co.,Ltd.

韦尔股份上海韦尔半导体股份有限公司

WNM2020-3SLASHTR

N-Channel 20 V (D-S) MOSFET

文件：1.0516 Mbytes Page：9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

WNM2020-3TR

N-Channel 20 V (D-S) MOSFET

文件：1.0516 Mbytes Page：9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

WNM2020A

MOSFET

OMNIVISION

豪威集团

AN2020S

Dual Balanced Modulator IC

■ Overview The AN2020S is an integrated circuit which incorporates two balanced modulators. It can be used for a video-frequency-band dual amplifier, variable gain amplifier, balanced modulator, demodulator, etc. ■ Features • Low voltage operation:4.8V(typ.) • Carrier suppression:–43dB(typ.)

PANASONIC

松下

NTE2020

Integrated Circuit 8-Channel Darlington Array/Driver

Description: Ideally suited for interfacing between low–level digital logic circuitry and high–power peripheral loads, the NTE2011 through NTE2015 are high–voltage, high–current Darlington arrays in an 18–Lead DIP type package and feature peak load current ratings to 600mA (NTE2016, NTE2019) or

NTE

SB2020CT

SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS(VOLTAGE- 20 to 100 Volts CURRENT - 20.0 Ampere)

FEATURES • Plastic package has Underwriters Laboratory Flammability Classification 94V-O. Flame Retardant Epoxy Molding Compound. • Exceeds environmental standards of MIL-S-19500/228 • Low power loss, high efficiency. • Low forwrd voltge, high current capability • High surge capacity. • For

PANJIT

強茂

SB2020FCT

ISOLATION SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS(VOLTAGE- 20 to 100 Volts CURRENT - 20.0 Ampere)

FEATURES • Plastic package has Underwriters Laboratory Flammability Classification 94V-O. Flame Retardant Epoxy Molding Compound. • Exceeds environmental standards of MIL-S-19500/228 • Low power loss, high efficiency. • Low forwrd voltge, high current capability • High surge capacity. • For

PANJIT

強茂

URF2020

POWER RECTIFIERS(20A,50-200V)

Switchmode Full Plastic Dual Ultrafast Power Rectifiers ... Designed for use in switching power supplies, inverters and as free wheeling diodes. These state-of-the-art devices have the following features: ✱ High Surge Capacity ✱ Low Power Loss, High Efficiency ✱ Glass Passivated chip junction

MOSPEC

统懋

WNM2020产品属性

  • 类型

    描述

  • Package：

    SOT-23

  • Size(W×L×H)(mm)(Max.)：

    3.2*2.7*1.3

  • Configuration：

    Single N

  • VDS(V) (Max.)：

    20

  • VGS(V) (Max.)：

    10

  • VGS(th)(V)(Typ.)：

    0.70

  • RDS(ON)@VGS=4.5V(mΩ)(Typ.)：

    385.0

  • RDS(ON)@VGS=4.5V(mΩ)(Max.)：

    580.0

  • RDS(ON)@VGS=2.5V(mΩ)(Typ.)：

    472.0

  • RDS(ON)@VGS=2.5V(mΩ)(Max.)：

    900.0

  • ID@TA = 25°C(A) (Max.)：

    1.00

  • RJA(℃/W)(Max)：

    122.0

  • RJC(℃/W)(Max)：

    52.0

  • PD@TA= 25℃(W) (Max)：

    1.00

  • Ciss(pF) (Typ)：

    29.00

  • Coss(pF) (Typ)：

    11.00

  • Crss(pF) (Typ)：

    4.00

  • Qg(TOT)(nC)(Typ.)：

    1.10

  • Qgd(nC)(Typ)：

    0.32

  • Td(on)(ns)(Typ)：

    5.00

  • Td(off)(ns)(Typ)：

    15.40

WNM2020供应商更多...

更新时间：2026-5-24 19:23:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
瀚佳科技(深圳)有限公司
WNM2020-3/TR
WILLSEMI
24+
SOT-23
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洪芯国际半导体（深圳）有限公司
WNM2020-3/TR
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TO-220F
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深圳市创盛芯科技有限公司
WNM2020-3/TR
WILLSEMI
25+
SOT-23
3990
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深圳市纳艾斯科技有限公司
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深圳诚思涵科技有限公司
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WILL
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SOT-23
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艾睿（深圳）半导体有限公司
WNM2020-3
VBsemi(台湾微碧)
2447
SOT-23-3
105000
3000个/圆盘一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,
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万三科技(深圳)有限公司
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WILLSEMI(韦尔)
25+
SOT-23
500000
源自原厂成本,高价回收工厂呆滞
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深圳市莱克讯科技有限公司
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中天科工半导体（深圳）有限公司
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