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60V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Features VDS = 60V,ID =40A RDS(ON),14mΩ(Typ) @ VGS =10V RDS(ON),16mΩ(Typ) @ VGS =4.5V Advanced Trench Technology Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Lead free product is acquired

UMW

友台半导体

60V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

General Description The 40N06 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Features VDS = 60V,ID =40A RDS(ON),14mΩ(Typ) @ VGS =10V RDS(ON),16mΩ(Typ) @ VGS =4.5V Advanced Trench Technology

EVVOSEMI

翊欧

Fast Switching

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ISC

无锡固电

N-Channel 60-V (D-S) MOSFET

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微碧半导体

38A竊?0V N-CHANNEL MOSFET

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KIA

可易亚半导体

更新时间:2025-12-26 23:01:01
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    2020-10-28
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    WG82552V 深圳市拓亿芯电子有限公司,本公司具备一般纳税人,可开16点增值税票, 货源渠道保证原厂原装正品IC,诚信为本,薄利多销。

    2019-3-6
  • WG82567LM只做进口原装现货

    瀚佳科技(深圳)有限公司: 专业销售集成电路IC.单片机.内存闪存.二三级管模块等电子元器件。

    2018-12-31