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N - CHANNEL 800V - 0.85ohm - 9.1A - TO-247/ISOWATT218 FAST POWER MOS TRANSISTOR

N - CHANNEL 800V - 0.85Ω - 9.1A - TO-247/ISOWATT218 FAST POWER MOS TRANSISTOR ■ TYPICAL RDS(on) = 0.85 Ω ■ ± 30V GATE TO SOURCE VOLTAGE RATING ■ 100 AVALANCHE TESTED ■ REPETITIVE AVALANCHE DATA AT 100°C ■ LOW INTRINSIC CAPACITANCES ■ GATE CHARGE MINIMIZED ■ REDUCED THRESHOLD VOLTAGE SPREAD

STMICROELECTRONICS

意法半导体

N - CHANNEL 800V - 0.85ohm - 9.1A - TO-247/ISOWATT218 FAST POWER MOS TRANSISTOR

N - CHANNEL 800V - 0.85Ω - 9.1A - TO-247/ISOWATT218 FAST POWER MOS TRANSISTOR ■ TYPICAL RDS(on) = 0.85 Ω ■ ± 30V GATE TO SOURCE VOLTAGE RATING ■ 100 AVALANCHE TESTED ■ REPETITIVE AVALANCHE DATA AT 100°C ■ LOW INTRINSIC CAPACITANCES ■ GATE CHARGE MINIMIZED ■ REDUCED THRESHOLD VOLTAGE SPREAD

STMICROELECTRONICS

意法半导体

N - CHANNEL 800V - 0.85Q - 9.1A - TO-247/ISOWATT218 FAST POWER MOS TRANSISTOR

N - CHANNEL 800V - 0.85Ω - 9.1A - TO-247/ISOWATT218 FAST POWER MOS TRANSISTOR ■ TYPICAL RDS(on) = 0.85 Ω ■ ± 30V GATE TO SOURCE VOLTAGE RATING ■ 100 AVALANCHE TESTED ■ REPETITIVE AVALANCHE DATA AT 100°C ■ LOW INTRINSIC CAPACITANCES ■ GATE CHARGE MINIMIZED ■ REDUCED THRESHOLD VOLTAGE SPREAD

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司

N - CHANNEL 800V - 0.85Q - 9.1A - TO-247/ISOWATT218 FAST POWER MOS TRANSISTOR

N - CHANNEL 800V - 0.85Ω - 9.1A - TO-247/ISOWATT218 FAST POWER MOS TRANSISTOR ■ TYPICAL RDS(on) = 0.85 Ω ■ ± 30V GATE TO SOURCE VOLTAGE RATING ■ 100 AVALANCHE TESTED ■ REPETITIVE AVALANCHE DATA AT 100°C ■ LOW INTRINSIC CAPACITANCES ■ GATE CHARGE MINIMIZED ■ REDUCED THRESHOLD VOLTAGE SPREAD

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID= 5.9A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 800V (Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) =1.0Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

ISC

无锡固电

更新时间:2025-8-9 23:01:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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