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W25N02JWSFIF

封装/外壳:16-SOIC(0.295",7.50mm 宽) 包装:托盘 描述:2G-BIT SERIAL NAND FLASH, 1.8V 集成电路(IC) 存储器

ETC

知名厂家

封装/外壳:16-SOIC(0.295",7.50mm 宽) 包装:卷带(TR) 描述:2G-BIT SERIAL NAND FLASH, 1.8V 集成电路(IC) 存储器

ETC

知名厂家

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES 20V, 25A, RDS(ON) = 23mW @VGS = 4.5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. TO-251 & TO-252 package. RDS(ON) = 33mW @VGS = 2.5V. RoHS compliant.

CET-MOSCET-MOS Technology Corp.

华瑞华瑞功率电子股份有限公司

CET-MOS

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES 20V, 25A, RDS(ON) = 23mW @VGS = 4.5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. TO-251 & TO-252 package. RDS(ON) = 33mW @VGS = 2.5V. RoHS compliant.

CET-MOSCET-MOS Technology Corp.

华瑞华瑞功率电子股份有限公司

CET-MOS

Discrete Diodes

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SIRECTIFIERSirectifier Semiconductors

矽莱克电子江苏矽莱克电子科技有限公司

SIRECTIFIER
更新时间:2025-8-5 11:06:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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16-SOIC(0.295 7.50mm 宽)
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25625
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22+
NA
500000
万三科技,秉承原装,购芯无忧

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